P7-M2 固态硬盘助推/助拔装置,索斯科 P7-M2 固态硬盘助推/助拔装置提供十分简单安装，只需将其插入 PCB 板，并旋转 90 度到预定位置。之后，便可将 PCB 板压入预定位置并按压关闭。

借助 P7-M2 固态硬盘助推/助拔装置，只需单击按钮即可进行移除，其特殊锁舌设计不仅能够适应 PCB 板公差，能够消除振动引起的影响。

免工具操作是 PCB 板配件安装的首要工作，而 SSD 助推/助拔装置的简单、直观的安装过程则完全满足了这一要求。 P7-M2产品令安装和移除变得简单方便。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 模数转换器 - ADC

RoHS: 详细信息

系列: ADS7825

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-28

分辨率: 16 bit

通道数量: 4 Channel

接口类型: Parallel, SPI

采样比: 40 kS/s

输入类型: Single-Ended

结构: SAR

模拟电源电压: 4.75 V to 5.25 V

数字电源电压: 4.75 V to 5.25 V

SNR  信噪比: 83 dB

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

封装: Tube

特点: Over-Voltage Protection

高度: 2.35 mm

长度: 18 mm

转换器数量: 1 Converter

功耗: 50 mW

宽度: 7.52 mm

商标: Texas Instruments

参考类型: External, Internal

DNL - 微分非线性: +/- 1 LSB

INL - 积分非线性: +/- 3 LSB

湿度敏感性: Yes

工作电源电压: 4.75 V to 5.25 V

Pd-功率耗散: 50 mW

产品类型: ADCs - Analog to Digital Converters

SINAD - 信噪和失真率: 86 dB

工厂包装数量: 20

子类别: Data Converter ICs

单位重量: 730.800 mg

650V半桥评估板（30 A和60 A），用于评估氮化镓（GaN）驱动器和GaN晶体管在各种应用中的性能。这些子板具有可调阈值和可编程源电流，带有过流保护功能，以实现可调节的导通压摆率。

子板具有两种功率级别：最高3 kW（GS-EVB-HB-66508B-RN）和最高6 kW（GS-EVB-HB-66516T-RN），并包含瑞萨电子RAA226110低侧GaN FET驱动器具有可编程的源电流和可调的过流保护。

RAA226110旨在驱动隔离和非隔离拓扑中的增强模式GaN FET，提供6.5V至18 V的宽电源电压范围。该器件同时提供反相（INB）和同相（IN）输入，可满足使用单个器件进行反相和同相栅极驱动的要求。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）