超小尺寸单点测距传感器满量程检测最低10mV的压降
发布时间:2021/7/2 21:41:32 访问次数:499
在25°C时，失调电压在±200μV范围内，温漂移低于5μV /°C，增益精度在0.3％以内，使器件能够满量程检测最低10mV的压降，提供一致且可信的测量值。
TSC2010的增益变化为20V/V，TSC2011为60V/V，TSC2012为100V/V，能够为工业和汽车系统灵活地构建精确的电流测量、过流保护、电流监测和电流反馈电路。目标应用包括数据采集、电机控制、电磁阀控制、仪器仪表、测试测量以及过程控制。
TSC2010、TSC2011和 TSC2012目前采用Mini-SO8和SO8两种封装。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerDI3333-8 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:40 V Id-连续漏极电流:7.2 A Rds On-漏源导通电阻:18 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V Qg-栅极电荷:33.7 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:810 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 晶体管类型:1 P-Channel 商标:Diodes Incorporated 正向跨导 - 最小值:16.6 S 下降时间:30.9 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:14.7 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:53.7 ns 典型接通延迟时间:6.9 ns 单位重量:30 mg
适用于电动汽车（EV）电池管理系统、消费电子、3D打印机，暖通空调系统（HVAC）、焊接设备、替代能源系统、电机驱动器、电力电子设备等。
这其中就用到了单点测距传感器，它先于人脸识别器件启动前工作，可起到节能的作用，手机上需要应用单点测距传感器的应用场景也逐渐增多，如摄像头辅助对焦、背景虚化等.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
在25°C时，失调电压在±200μV范围内，温漂移低于5μV /°C，增益精度在0.3％以内，使器件能够满量程检测最低10mV的压降，提供一致且可信的测量值。
TSC2010的增益变化为20V/V，TSC2011为60V/V，TSC2012为100V/V，能够为工业和汽车系统灵活地构建精确的电流测量、过流保护、电流监测和电流反馈电路。目标应用包括数据采集、电机控制、电磁阀控制、仪器仪表、测试测量以及过程控制。
TSC2010、TSC2011和 TSC2012目前采用Mini-SO8和SO8两种封装。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerDI3333-8 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:40 V Id-连续漏极电流:7.2 A Rds On-漏源导通电阻:18 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V Qg-栅极电荷:33.7 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:810 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 晶体管类型:1 P-Channel 商标:Diodes Incorporated 正向跨导 - 最小值:16.6 S 下降时间:30.9 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:14.7 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:53.7 ns 典型接通延迟时间:6.9 ns 单位重量:30 mg
适用于电动汽车（EV）电池管理系统、消费电子、3D打印机，暖通空调系统（HVAC）、焊接设备、替代能源系统、电机驱动器、电力电子设备等。
这其中就用到了单点测距传感器，它先于人脸识别器件启动前工作，可起到节能的作用，手机上需要应用单点测距传感器的应用场景也逐渐增多，如摄像头辅助对焦、背景虚化等.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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