SQJA81EP 10 V条件下优异的栅极电荷仅为52 nC，减少栅极驱动损耗，栅极电荷与导通电阻乘积，即用于功率转换应用的MOSFET优值系数（FOM）达到业界出色水平。

器件可在+175 °C高温下工作，满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外，SQJA81EP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测（AOI）功能，消除机械应力，提高板级可靠性。

器件80 V额定电压满足12V、24V和48V系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。

制造商:NXP产品种类:ARM微控制器 - MCURoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LQFP-48核心:程序存储器大小:64 kB数据总线宽度:32 bitADC分辨率:12 bit最大时钟频率:72 MHz输入/输出端数量:32 I/O数据 RAM 大小:12 kB工作电源电压:3.3 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C封装:Tray程序存储器类型:Flash商标:NXP Semiconductors数据 Ram 类型:SRAM数据 ROM 大小:4 kB数据 Rom 类型:EEPROM接口类型:CAN, I2C, SPI, USART模拟电源电压:3.3 VI/O 电压:3.3 V湿度敏感性:YesADC通道数量:16 Channel计时器/计数器数量:4 Timer处理器系列:ARM Cortex产品类型:ARM Microcontrollers - MCU250子类别:Microcontrollers - MCU电源电压-最大:3.6 V电源电压-最小:2.4 V零件号别名:935302757551单位重量:194.252 mg

3.5mm x 5.5mm热增强型24引脚VQFN封装的42V LM25149-Q1和LM25149现已通过LM25149-Q1EVM-2100评估模块。

作为p沟道器件，SQJA81EP可简化栅极驱动设计，无需配置n沟道器件所需的电荷泵。 MOSFET采用无铅（Pb）封装、无卤素、符合RoHS标准，经过100 % Rg和UIS测试。

传统的FSI和BSI技术之外开拓全新的技术道路，发布了基于其创新设计架构的第一代DSI像素技术，该技术相较主流FSI技术拥有更高的灵敏度与信噪比。

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