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电力系统设计格局SiC高温特性和低开关损耗优势

发布时间:2021/6/26 17:01:43 访问次数:89

新型AS585xB产品与X射线影像设备中的标准连接器兼容,组装起来更简便;

平板探测仪制造商可以从三种产品选项中,选择更快、更低功耗的读出IC;

超低噪声AS5850B与最新的IGZO探测器技术、传统的TFT探测器类型都兼容。

数字X射线平板式探测仪(FPD)的一流读取IC家族推出了新产品--- AS585xB系列,该系列器件为客户提供了全新的灵活连接器选项,更降低了其整合到系统中的成本。

AS585xB设备凭借其超低噪声、高带宽和低功耗,使我们的客户能够生成质量非常高的X射线图像。

制造商:GigaDevice产品种类:NOR闪存RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOP-8系列:存储容量:128 Mbit电源电压-最小:1.65 V电源电压-最大:2 V有源读取电流(最大值):20 mA接口类型:SPI最大时钟频率:120 MHz组织:16 M x 8数据总线宽度:8 bit最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Tube速度:120 MHz商标:GigaDevice电源电流—最大值:20 mA湿度敏感性:Yes产品类型:NOR Flash9500子类别:Memory & Data Storage

CISSOID IPM 智能功率模块除采用了国际上最流行的SiC MOSFET芯片外,我们也与中国国内的SiC芯片厂商开展深入合作,也相继推出了基于中国国产SiC MOSFET的IPM模块(CXT-PLA3SA550CA 和CMT-PLA3SB340CA).

借助于SiC的独特高温特性和低开关损耗优势,这一结温不断提升的趋势将大大改变电力系统设计格局。

这些目前典型的、未来还将出现的高温、高功率密度应用,包括深度整合的电动汽车动力总成、多电和全电飞机乃至电动飞机、移动储能充电站和充电宝,以及其他各种液体冷却受到严重限制的电力应用。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


新型AS585xB产品与X射线影像设备中的标准连接器兼容,组装起来更简便;

平板探测仪制造商可以从三种产品选项中,选择更快、更低功耗的读出IC;

超低噪声AS5850B与最新的IGZO探测器技术、传统的TFT探测器类型都兼容。

数字X射线平板式探测仪(FPD)的一流读取IC家族推出了新产品--- AS585xB系列,该系列器件为客户提供了全新的灵活连接器选项,更降低了其整合到系统中的成本。

AS585xB设备凭借其超低噪声、高带宽和低功耗,使我们的客户能够生成质量非常高的X射线图像。

制造商:GigaDevice产品种类:NOR闪存RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOP-8系列:存储容量:128 Mbit电源电压-最小:1.65 V电源电压-最大:2 V有源读取电流(最大值):20 mA接口类型:SPI最大时钟频率:120 MHz组织:16 M x 8数据总线宽度:8 bit最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Tube速度:120 MHz商标:GigaDevice电源电流—最大值:20 mA湿度敏感性:Yes产品类型:NOR Flash9500子类别:Memory & Data Storage

CISSOID IPM 智能功率模块除采用了国际上最流行的SiC MOSFET芯片外,我们也与中国国内的SiC芯片厂商开展深入合作,也相继推出了基于中国国产SiC MOSFET的IPM模块(CXT-PLA3SA550CA 和CMT-PLA3SB340CA).

借助于SiC的独特高温特性和低开关损耗优势,这一结温不断提升的趋势将大大改变电力系统设计格局。

这些目前典型的、未来还将出现的高温、高功率密度应用,包括深度整合的电动汽车动力总成、多电和全电飞机乃至电动飞机、移动储能充电站和充电宝,以及其他各种液体冷却受到严重限制的电力应用。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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