新型0.55 m?6?8 RDS(on) 40 V功率MOSFET，该器件采用高可靠性的LFPAK88封装，适用于汽车(BUK7S0R5-40H)和工业(PSMNR55-40SSH)应用。

这些器件是Nexperia所生产的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它们提供的功率密度相比传统D2PAK器件提高了50倍以上。

新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET将最新的高性能超结硅技术与成熟的LFPAK铜夹片技术相结合，后者因提供显著的电气性能和热性能而著称。

产品种类: 陀螺仪

RoHS: 详细信息

传感器类型: 1-axis

传感轴: Z

范围: +/- 300 deg/s

输出类型: Digital

灵敏度: 80 LSB/deg/s

接口类型: SPI

分辨率: 16 bit

工作电源电流: 6 mA

电源电压-最大: 5 V

电源电压-最小: 3 V

封装 / 箱体: SOIC-16

封装: Tube

带宽: 77.5 Hz

高度: 3.73 mm

长度: 10.3 mm

系列: ADXRS453

宽度: 7.8 mm

加速: 2000 g

商标: Analog Devices

安装风格: SMD/SMT

最大工作温度: + 105 C

最小工作温度: - 40 C

湿度敏感性: Yes

工作电源电压: 3.15 V to 5.25 V

产品类型: Gyroscopes

工厂包装数量: 47

子类别: Sensors

单位重量: 10 mg

低RDS(on)能够让我们将更多芯片封入在封装中，从而提高功率密度，缩小器件管脚尺寸。

采用最小空间提供宽广光谱：欧司朗Oslon P1616系列 SFH4737宽波段发射器与欧司朗近红外大功率LED产品组合相辅相成。

这款发射器具有650nm至1050nm光谱发射范围，并且设计非常小巧，适合用于医疗应用和可穿戴设备。它具有130°光束角，因而能够在更大的范围内拾取光。

此外，这些新型器件还可在雪崩和线性模式下提供更高的性能，从而提高了耐用性和可靠性。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）