30Vn沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。Vishay Siliconix SiSS52DN采用热增强型3.3 mm x 3.3 mmPowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下导通电阻仅为0.95 mW，比上一代产品低5 %。

通过调整振荡频率以抑制特定频率（如2.2MHz或以上）产生的噪音波峰的技术。

工作电压为36V、输出电流为1A的DC-DC转换器。车载摄像头模块车载用途（发动机、变速器、悬架、ABS、EV/HEV/PHEV及其他设备应用）.

制造商: Analog Devices Inc.

产品种类: 加速计

RoHS: 详细信息

传感器类型: 3-axis

传感轴: X, Y, Z

加速: 2 g, 4 g, 8 g, 16 g

灵敏度: 3.9 mg/LSB

输出类型: Digital

接口类型: I2C, SPI

分辨率: 16 bit

电源电压-最大: 3.6 V

电源电压-最小: 2 V

工作电源电流: 140 uA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: LGA-14

封装: Tray

高度: 3 mm

长度: 5 mm

系列: ADXL343

类型: 3-Axis Digital MEMS Accelerometer

宽度: 1 mm

商标: Analog Devices

湿度敏感性: Yes

工作电源电压: 2.5 V

产品类型: Accelerometers

工厂包装数量: 490

子类别: Sensors

单位重量: 2.741 g

ROHM又面向先进的工业设备领域，开发出高耐压和大电流性能兼备的DC/DC转换器IC。

新产品是非隔离型*3DC/DC转换器IC，利用ROHM擅长的模拟设计技术开发而成，采用电源系统的BiCDMOS高耐压工艺，可提供先进工业设备所需的电源功能。

“BD9G500EFJ-LA”适用于48V电源系统，具有业内超高的80V耐压，同时由于其内置MOSFET，可实现同类产品中高达5A的输出电流，且支持大功率，从而有助于5G通信基站和充电桩等设备实现更高可靠性和性能。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）