电容低至0.5 pF钳位电压3V高达10A 8/20μs的浪涌和ESD脉冲
发布时间:2021/6/14 10:52:52 访问次数:934
安森美半导体API 1302图像协处理器可以在平台内执行图像处理功能,包括传感器的旋转,配置和校准。
同时,与所有TrEOS器件一样,这些新的车用器件具有很低的电容,可确保高信号完整性,并具有很低的钳位电压和高稳健性,适用于新的车载接口。
具体的车载应用包括采用USB 3.2,HDMI,LVDS,SerDes和SD卡接口的信息娱乐,多媒体与ADAS系统。
Nexperia的TrEOS ESD保护技术利用有源可控硅整流来克服传统保护难题。电容低至0.5 pF,钳位电压只有3 V,器件可承受高达10 A 8/20 μs的浪涌和ESD脉冲。
制造商:Vishay 产品种类:整流器 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:DO-201AD-2 Vr - 反向电压 :600 V If - 正向电流:4 A 类型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向电压:1.25 V 最大浪涌电流:150 A Ir - 反向电流 :10 uA 恢复时间:50 ns 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 175 C 封装:Ammo Pack 直径:5.3 mm 高度:5.3 mm 长度:9.5 mm 产品:Rectifiers 宽度:5.3 mm 商标:Vishay General Semiconductor Pd-功率耗散:- 产品类型:Rectifiers 工厂包装数量3400 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:1.100 g
Cartesiam的开发环境NanoEdge AI™ Studio已取得专利,能帮助嵌入式开发人员在预先没有任何人工智能知识的情况下,快速开发单片机专用机器学习库。
全球各地数百家厂商都在生产采用了Cartesiam公司技术的各类器件。
Edge Impulse是一个面向嵌入式机器学习的端到端开发人员平台,支持工业、商用和可穿戴市场的企业开发智能设备。
受益于Microchip的MPLAB X集成开发环境和评估工具包支持,开发人员只需几分钟就能开始工作。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
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同时,与所有TrEOS器件一样,这些新的车用器件具有很低的电容,可确保高信号完整性,并具有很低的钳位电压和高稳健性,适用于新的车载接口。
具体的车载应用包括采用USB 3.2,HDMI,LVDS,SerDes和SD卡接口的信息娱乐,多媒体与ADAS系统。
Nexperia的TrEOS ESD保护技术利用有源可控硅整流来克服传统保护难题。电容低至0.5 pF,钳位电压只有3 V,器件可承受高达10 A 8/20 μs的浪涌和ESD脉冲。
制造商:Vishay 产品种类:整流器 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:DO-201AD-2 Vr - 反向电压 :600 V If - 正向电流:4 A 类型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向电压:1.25 V 最大浪涌电流:150 A Ir - 反向电流 :10 uA 恢复时间:50 ns 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 175 C 封装:Ammo Pack 直径:5.3 mm 高度:5.3 mm 长度:9.5 mm 产品:Rectifiers 宽度:5.3 mm 商标:Vishay General Semiconductor Pd-功率耗散:- 产品类型:Rectifiers 工厂包装数量3400 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:1.100 g
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全球各地数百家厂商都在生产采用了Cartesiam公司技术的各类器件。
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(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)