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1或3相高压PM和BLDC马达驱动及自举电源欠压检测

发布时间:2021/6/17 23:29:56 访问次数:267

在启动瞬时或启动/停止过程期间电池电压(VBAT)下降至2.1V,则提供预升压功能。

集成半桥BridgeSwitch™系列极大地简化高压逆变1相和3相PM或BLDC马达驱动的开发和生产.器件集成了两个高压(600V)N沟功率FREDFET,在单个小型封装内具有低边和高边驱动器.

外部系统电平监测包括带有四个欠压电平和一个过压电平以及驱动外部传感器如NTC的DC总线检测.

全集成的半桥级效率高达99.2%,主要用在1或3相高压PM和BLDC马达驱动,高达400W逆变器输出功率,包括洗碗机和电冰雪的家用电器,高效空调的冷凝器风扇.

制造商:Texas Instruments产品种类:低压差稳压器RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SON-8输出电压:3.3 V输出电流:1 A输出端数量:1 Output极性:Positive静态电流:20 nA最大输入电压:5.5 V最小输入电压:2.2 V输出类型:Fixed最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C回动电压:130 mV资格:AEC-Q100系列:TPS73733-Q1封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:0.88 mm长度:3 mm工作温度范围:- 4宽度:3 mm商标:Texas Instruments回动电压—最大值:500 mV at 1 A电压调节准确度:1 %线路调整率:0.01 %/V负载调节:0.002 %/mA湿度敏感性:Yes工作电源电流:400 uAPd-功率耗散:2.5 W产品类型:LDO Voltage Regulators工厂包装数量:3000子类别:PMIC - Power Management ICs单位重量:24 mg

ESD保护特性,人体模式(HBM)为+/-2000V,充电模式(CDM)为+/-500V.主要用在IoT设备,平板电脑,电子销售终端(ePOS)和工业应用.

容忍VBAT负载突降可缩减浪涌保护的额外成本和尺寸,支持启动瞬变过程则可减少所需的输入电容。内置EMI降噪功能,开关频率高达2.2 MHz,可缩减EMI滤波/屏蔽的成本及尺寸。

ISL78264和ISL78263还包括针对过压(OV)、欠压(UV)、过流、过热的广泛保护,以及自举电源欠压检测和刷新电路,以保护高压侧MOSFET。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

在启动瞬时或启动/停止过程期间电池电压(VBAT)下降至2.1V,则提供预升压功能。

集成半桥BridgeSwitch™系列极大地简化高压逆变1相和3相PM或BLDC马达驱动的开发和生产.器件集成了两个高压(600V)N沟功率FREDFET,在单个小型封装内具有低边和高边驱动器.

外部系统电平监测包括带有四个欠压电平和一个过压电平以及驱动外部传感器如NTC的DC总线检测.

全集成的半桥级效率高达99.2%,主要用在1或3相高压PM和BLDC马达驱动,高达400W逆变器输出功率,包括洗碗机和电冰雪的家用电器,高效空调的冷凝器风扇.

制造商:Texas Instruments产品种类:低压差稳压器RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SON-8输出电压:3.3 V输出电流:1 A输出端数量:1 Output极性:Positive静态电流:20 nA最大输入电压:5.5 V最小输入电压:2.2 V输出类型:Fixed最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C回动电压:130 mV资格:AEC-Q100系列:TPS73733-Q1封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:0.88 mm长度:3 mm工作温度范围:- 4宽度:3 mm商标:Texas Instruments回动电压—最大值:500 mV at 1 A电压调节准确度:1 %线路调整率:0.01 %/V负载调节:0.002 %/mA湿度敏感性:Yes工作电源电流:400 uAPd-功率耗散:2.5 W产品类型:LDO Voltage Regulators工厂包装数量:3000子类别:PMIC - Power Management ICs单位重量:24 mg

ESD保护特性,人体模式(HBM)为+/-2000V,充电模式(CDM)为+/-500V.主要用在IoT设备,平板电脑,电子销售终端(ePOS)和工业应用.

容忍VBAT负载突降可缩减浪涌保护的额外成本和尺寸,支持启动瞬变过程则可减少所需的输入电容。内置EMI降噪功能,开关频率高达2.2 MHz,可缩减EMI滤波/屏蔽的成本及尺寸。

ISL78264和ISL78263还包括针对过压(OV)、欠压(UV)、过流、过热的广泛保护,以及自举电源欠压检测和刷新电路,以保护高压侧MOSFET。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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