14mm×14mm289引脚芯片级球栅阵列封装高达9750W的功率
发布时间:2021/6/18 13:25:40 访问次数:445
在需要更大功率且物理高度存在问题的应用中，可以并联多达9个TUNS1200，在传导冷却模式下可提供高达9,750W的功率。
该电源符合RoHS指令，CE标签符合低压指令。
采用14 mm × 14 mm289引脚芯片级球栅阵列 (CSP_BGA) 封装.主要用在3G/4G/5G TDD 和 FDD 大规模 MIMO,宏蜂窝和小型蜂窝基站.
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:FK-V High 产品:High Temp Electrolytic Capacitors 电容:330 uF 电压额定值 DC:25 VDC 容差:20 % ESR:160 mOhms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 105 C 直径:8 mm 长度:10.2 mm 高度:10.2 mm 寿命:2000 Hour 纹波电流:600 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 类型:Aluminum Electrolytic Capacitors/Medium-size 商标:Panasonic 漏泄电流:82.5 uA 损耗因数 DF:0.14 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:500 子类别:Capacitors 单位重量:880 mg
更低的开态(ON)电阻和紧凑的芯片尺寸,保证有更低的电容和栅极电容.
因此,SiC MOSFET系统具有最高的效率,更快的工作频率,较高的功率密度,从而降低了EMI和系统尺寸.6.6 kW车载充电器(OBC)SEC-6D6KW-OBC-TTP-GEVB参考设计采用NVHL060N090SC1器件.
单片高边和低边栅极驱动器FAN7191 F085,650V N沟功率MOSFET SUPERFET® III NVHL025N65S3,隔离大电流和高效率IGBT驱动器NCV57000DWR2G和图腾柱拓扑,系统效率高达97%,以及提供硬件OCP和OVP.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
在需要更大功率且物理高度存在问题的应用中，可以并联多达9个TUNS1200，在传导冷却模式下可提供高达9,750W的功率。
该电源符合RoHS指令，CE标签符合低压指令。
采用14 mm × 14 mm289引脚芯片级球栅阵列 (CSP_BGA) 封装.主要用在3G/4G/5G TDD 和 FDD 大规模 MIMO,宏蜂窝和小型蜂窝基站.
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:FK-V High 产品:High Temp Electrolytic Capacitors 电容:330 uF 电压额定值 DC:25 VDC 容差:20 % ESR:160 mOhms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 105 C 直径:8 mm 长度:10.2 mm 高度:10.2 mm 寿命:2000 Hour 纹波电流:600 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 类型:Aluminum Electrolytic Capacitors/Medium-size 商标:Panasonic 漏泄电流:82.5 uA 损耗因数 DF:0.14 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:500 子类别:Capacitors 单位重量:880 mg
更低的开态(ON)电阻和紧凑的芯片尺寸,保证有更低的电容和栅极电容.
因此,SiC MOSFET系统具有最高的效率,更快的工作频率,较高的功率密度,从而降低了EMI和系统尺寸.6.6 kW车载充电器(OBC)SEC-6D6KW-OBC-TTP-GEVB参考设计采用NVHL060N090SC1器件.
单片高边和低边栅极驱动器FAN7191 F085,650V N沟功率MOSFET SUPERFET® III NVHL025N65S3,隔离大电流和高效率IGBT驱动器NCV57000DWR2G和图腾柱拓扑,系统效率高达97%,以及提供硬件OCP和OVP.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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