美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation) 推出两款属于高压功率控制集成电路系列的最新产品，为直流/直流电源供应系统提供两个高效率的功率转换解决方案。型号为 LM5111 的双通道门极驱动器及型号为 LM5112 的单通道门极驱动器都采用业内最小巧的封装，而且设计非常灵活，因此是驱动大型功率金属氧化半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的理想驱动器，最适用于交流/直流与直流/直流转换器、马达驱动系统及工业控制系统。

　　LM5112 芯片能以极高的速度操作，延迟时间也极短，而且可以输出极高的峰值电流。这款芯片采用美国国家半导体的高压模拟 Bi CMOS-DMOS 技术制造，其复合式输出驱动级内含金属氧化半导体 (MOS) 及双极晶体管，而且两者可以并行操作。由于 LM5112 芯片采用这样独特的组合，因此可以从电容负载超过 7A 的峰值电流，并且以高达 1MHz 的频率驱动较大的功率 MOSFET。如此独特的复合式驱动级有一个很重要的优点，那就是操作时性能更为可靠，因为即使供电电压及温度出现波动，复合式驱动级可以减低这些波动所产生的影响，有助保持驱动电流的稳定性。

　　LM5112 芯片也为输入及输出级提供独立的接地及参考电压管脚，以便支持采用分开供电设计的门极驱动配置。这款芯片设有双逻辑电路接口，可以接收反相或非反相的信号，由于其接口具有这样的灵活性，因此这款芯片可与市场上绝大部分控制器及微处理器相匹配。

　　LM5111 芯片设有两个可输出足 5A 峰值电流的驱动器，而且由于采用 SOIC-8 封装，因此可以直接取替许多旧式的 CMOS 门极驱动解决方案。 LM5111 芯片的峰值输出电流高达 5A，比上一代的技术只能输出 2A 峰值电流优胜，而且效率也比上一代技术高。虽然 LM5111 是双通道的芯片而 LM5112 则是单通道的芯片，但两者都采用同一的先进复合式驱动技术及负极输出门极驱动技术。在正常操作情况下，LM5111 的两条 5A 峰值电流驱动通道均各自独立，但若有需要，这两条通道可与输入及输出端并行连接，将峰值输出驱动电流提高一倍至 10A，以便能够以极高的效率及高达 1MHz 的速度驱动极大的功率 MOSFET。LM5111 芯片分别有三种不同的型号可供选择，这三个型号都可各自接收三种不同的输入信号。换言之，厂商客户可以选择非反相信号通道、反相信号通道或两种信号都可同样接收的通道。

　　两款芯片都以 1,000 颗为采购单位，LM5111 芯片每颗售 0.65 美元，而 LM5112 芯片则每颗售 0.55 美元，两款芯片都有现货供应。