非对称半桥控制的XDP混合反激控制器.半桥驱动和串联电容连接的反激变压器.

反激变压器的主要电感和串联电容形成谐振回路,可以得到半桥功率开关的零电压开关(ZVS)特性,在反激变器的通常去磁相中提供另外的谐振功率发送.

数字混合反激控制器在DSO-14(150密尔)封装中集成了半桥驱动器,600V高压起动单元可用于快速充电和低待机功耗,而峰值电流模式控制用于强健和快速线路与负于控制.

主要用在案AC/DC SMPS,大于20W/inch3超高功率密度的适配器,以及大于93%的超高效率的开关电源.

制造商:Cree, Inc.产品种类:MOSFETRoHS: 技术:SiC安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:1.2 kVId-连续漏极电流:31.6 ARds On-漏源导通电阻:98 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 5 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:4 VQg-栅极电荷:71 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:208 W通道模式:Enhancement封装:Tube配置:Single高度:21.1 mm长度:16.13 mm产品:Power MOSFETs晶体管类型:1 N-Channel类型:Silicon Carbide Power MOSFET宽度:5.21 mm商标:Wolfspeed / Cree正向跨导 - 最小值:3.9 S下降时间:21 ns产品类型:MOSFET上升时间:34 ns30子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:23.2 ns典型接通延迟时间:12 ns单位重量:6 g

BC5521是以嵌入式实时操作系统为软件支撑平台的全网通工业路由器，带5G的同时支持5G NR SA/5G NR NSA/LTE-FDD/LTE-TDD/WCDMA网络制式，使机器设备与平台之间的数据交互更高效。

fPD=100MHz时的积分模式尖峰为-95 dBc,高相位检测频率有400MHz整数模式和300MHz小数分频模式.

用途方面，BC5521能够广泛应用于物联网产业链中的M2M行业，如高清摄像头、巡检机器人、5G远程医疗、5G应急救援、智能电网、智能交通、智能家居、供应链自动化、工业自动化、数字化医疗。

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