RV1126采用开放式NPU，释放NPU底层代码，合作伙伴或开发者能够更易上手，缩短产品设计研发周期，加速产品落地进程。

故障保护功能包括高边MOSFET短路和过流报警、过热保护和欠压锁定（UVLO）。SiC8xx系列支持3.3V和5V三态PWM逻辑电平，兼容各种PWM控制器。

电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备Primo Twin-Star®，用于IC器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻蚀应用。

产品种类: NAND闪存

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: VFBGA-63

系列: MT29F

存储容量: 2 Gbit

接口类型: Parallel

组织: 256 M x 8

定时类型: Asynchronous

数据总线宽度: 8 bit

电源电压-最小: 1.7 V

电源电压-最大: 1.95 V

电源电流—最大值: 35 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

封装: Tray

产品: NAND Flash

商标: Micron

有源读取电流（最大值）: 35 mA

湿度敏感性: Yes

产品类型: NAND Flash

工厂包装数量: 1260

子类别: Memory & Data Storage

单位重量: 2.728 g

Primo Twin-Star®设备优化了中微公司电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备产品线。

现在的制造商对于生产成本日益敏感，我们的目标是为客户提供技术创新、高生产率和高性价比的ICP刻蚀解决方案。Primo Twin-Star®设备已在各类前道/后道制程、用于功率器件和CIS应用的深沟槽隔离刻蚀（DTI）中表现出卓越的性能。

通过提供兼具这些优异性能和高性价比的解决方案，我们不仅帮助客户解决了技术难题，同时最大程度地提升了其投资效益。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）