LTC4354:针对高可用性系统,节省功率和面积的二极管
发布时间:2007/9/1 0:00:00 访问次数:465
凌特(Linear)推出针对高可用性系统的 –48V 二极管“或”控制器 LTC4354。通过控制用于冗余电源通路的外部 N 沟道 MOSFET 而非传统“或”二极管，该控制器极大地提高了效率，并无需笨重的散热器。LTC4354 采用纤巧的 3mm x 2mm DFN 封装，由于具有较低的正向压降而使功耗减至最低，同时也节省了宝贵的板面积。
LTC4354 的工作电压低至 –80V，当有其中之一个电源失效时，它能够在不到 1us 的时间内关断相应的 MOSFET。如此迅速的响应时间使反向电流来不及达到能够造成损坏的水平。开漏故障输出能够驱动一个 LED 或光耦合器，并显示 FET 压降是否过大。这种情况一般出现在 FET 或串联保险丝发生开路或者电源过载的情况。
LTC4354 通过使功率损耗最小化，以及提高系统的电源效率和可靠性，满足了诸如先进电信计算架构（AdvancedTCA）等电信标准的严格要求，从而适用于众多高可用性的应用。
LTC4354 已有现货供应，可额定在商业与工业温度范围工作。它采用 8 引脚 DFN 和 SO 封装。以 1,000 片为单位批量购买，每片起价为 1.95 美元。
LTC4354 性能简介：
·控制 N 沟道 MOSFET
·代替功率肖特基二极管
·1us 断开时间限制峰值故障电流
·于80V 工作
·无振荡的平滑切换
·无反向 DC 电流
·8 引脚（3mm × 2mm）DFN 和 8 引脚 SO 封装
（转自 集成电路产业网新闻管理部）
凌特(Linear)推出针对高可用性系统的 –48V 二极管“或”控制器 LTC4354。通过控制用于冗余电源通路的外部 N 沟道 MOSFET 而非传统“或”二极管，该控制器极大地提高了效率，并无需笨重的散热器。LTC4354 采用纤巧的 3mm x 2mm DFN 封装，由于具有较低的正向压降而使功耗减至最低，同时也节省了宝贵的板面积。
LTC4354 的工作电压低至 –80V，当有其中之一个电源失效时，它能够在不到 1us 的时间内关断相应的 MOSFET。如此迅速的响应时间使反向电流来不及达到能够造成损坏的水平。开漏故障输出能够驱动一个 LED 或光耦合器，并显示 FET 压降是否过大。这种情况一般出现在 FET 或串联保险丝发生开路或者电源过载的情况。
LTC4354 通过使功率损耗最小化，以及提高系统的电源效率和可靠性，满足了诸如先进电信计算架构（AdvancedTCA）等电信标准的严格要求，从而适用于众多高可用性的应用。
LTC4354 已有现货供应，可额定在商业与工业温度范围工作。它采用 8 引脚 DFN 和 SO 封装。以 1,000 片为单位批量购买，每片起价为 1.95 美元。
LTC4354 性能简介：
·控制 N 沟道 MOSFET
·代替功率肖特基二极管
·1us 断开时间限制峰值故障电流
·于80V 工作
·无振荡的平滑切换
·无反向 DC 电流
·8 引脚（3mm × 2mm）DFN 和 8 引脚 SO 封装
（转自 集成电路产业网新闻管理部）
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