功率电子学高功率密度高开关频率支持使用GaN和SiC技术
发布时间:2023/3/13 19:38:05 访问次数:45
大功率电阻,通常会想到线绕技术和厚膜技术的电阻,其中,线绕电阻是最常见的大功率电阻,在陶瓷绝缘骨架上绕制电阻丝制成,单个电阻功率可达3KW以上,以下是几种常见的线绕电阻。
厚膜技术的大功率电阻主要指的是平面功率电阻,是基于氧化铝和氮化铝基板印刷厚膜电阻浆料制成,以下是几种常见的平面功率电阻。
功率电阻第三种大功率电阻是实心陶瓷电阻,这种电阻相较于前两种电阻技术,知名度不是很高,但却具有非常明显的优势。
主要用在卫星有效载荷的精密信号处理,卫星遥测系统,卫星推进和轨道控制,卫星姿态控制以及高端工业和井下钻探.
双轴取向聚丙烯(BOPP)作为电介质,可实现一致的90°C热点温度,同时显著增强自愈性。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:二极管 - 通用,功率,开关 产品:Switching Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-3 峰值反向电压:75 V 最大浪涌电流:2 A If - 正向电流:150 mA 配置:Dual 恢复时间:4 ns Vf - 正向电压:1.25 V Ir - 反向电流 :2.5 uA 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 高度:1 mm 长度:2.2 mm 类型:Switching Diode 宽度:1.35 mm 商标:Diodes Incorporated 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:6 mg
借助仿真软件,TDK还能根据客户指定的频谱、最大电流和安装方式等参数计算电容器的热反应,并能评估可能出现的热点位置。
必要时,我们可将评估结果附加在型式认证中。这样能为客户带来极大优势,如无需复杂和冗长的测试和重新设计工作,大幅缩短了产品上市时间,从而赢得明显的竞争优势。
TMS320F280025C(F28002x)是C2000™实时微控制器系列,具有可升级超低延迟器件,设计用在高效的功率电子学包括但不限于高功率密度高开关频率,支持使用GaN和SiC技术.
器件集成了先进的功率管理模块和DC/DC转换器与LDO,从而降低了外接电源的复杂性和简化了加电次序. i.MX RT1020还提供多种存储器接口包括SDRAM, RAW NAND FLASH, NOR FLASH, SD/eMMC, Quad SPI和各种连接口包括UART, SPI, I2C, USB和CAN以及用来连接外设如WLAN, 蓝牙™和GPS.
http://yushuokj.51dzw.com深圳市裕硕科技有限公司
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
大功率电阻,通常会想到线绕技术和厚膜技术的电阻,其中,线绕电阻是最常见的大功率电阻,在陶瓷绝缘骨架上绕制电阻丝制成,单个电阻功率可达3KW以上,以下是几种常见的线绕电阻。
厚膜技术的大功率电阻主要指的是平面功率电阻,是基于氧化铝和氮化铝基板印刷厚膜电阻浆料制成,以下是几种常见的平面功率电阻。
功率电阻第三种大功率电阻是实心陶瓷电阻,这种电阻相较于前两种电阻技术,知名度不是很高,但却具有非常明显的优势。
主要用在卫星有效载荷的精密信号处理,卫星遥测系统,卫星推进和轨道控制,卫星姿态控制以及高端工业和井下钻探.
双轴取向聚丙烯(BOPP)作为电介质,可实现一致的90°C热点温度,同时显著增强自愈性。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:二极管 - 通用,功率,开关 产品:Switching Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-3 峰值反向电压:75 V 最大浪涌电流:2 A If - 正向电流:150 mA 配置:Dual 恢复时间:4 ns Vf - 正向电压:1.25 V Ir - 反向电流 :2.5 uA 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 高度:1 mm 长度:2.2 mm 类型:Switching Diode 宽度:1.35 mm 商标:Diodes Incorporated 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:6 mg
借助仿真软件,TDK还能根据客户指定的频谱、最大电流和安装方式等参数计算电容器的热反应,并能评估可能出现的热点位置。
必要时,我们可将评估结果附加在型式认证中。这样能为客户带来极大优势,如无需复杂和冗长的测试和重新设计工作,大幅缩短了产品上市时间,从而赢得明显的竞争优势。
TMS320F280025C(F28002x)是C2000™实时微控制器系列,具有可升级超低延迟器件,设计用在高效的功率电子学包括但不限于高功率密度高开关频率,支持使用GaN和SiC技术.
器件集成了先进的功率管理模块和DC/DC转换器与LDO,从而降低了外接电源的复杂性和简化了加电次序. i.MX RT1020还提供多种存储器接口包括SDRAM, RAW NAND FLASH, NOR FLASH, SD/eMMC, Quad SPI和各种连接口包括UART, SPI, I2C, USB和CAN以及用来连接外设如WLAN, 蓝牙™和GPS.
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