Iris M的革命性非接触式视频处理系统，该系统使用FLIR机器视觉相机感应、放大和测量机器引起的细微振动，消除了使用早期技术本身固有的缺陷。

Iris M系统使用装在Vanguard三脚架上的FLIR 2.3Mpixel Grasshoppper3相机，此相机以默认分辨率为1920x1050、速度为120帧/秒的规格获取单色图像数据。

从相机获取的数据将通过USB 3.0接口传输到平板电脑上，在此使用公司专用软件进行分析，使用户可以看到工厂资产（例如机器）上的振动特征。

产品种类: MOSFET  

RoHS:  详细信息  

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: TDSON-8  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 60 V  

Id-连续漏极电流: 100 A  

Rds On-漏源导通电阻: 3.1 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V  

Qg-栅极电荷: 130 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 2.5 W  

通道模式: Enhancement  

商标名: OptiMOS  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

封装: Reel  

配置: Single  

高度: 1.27 mm  

长度: 5.9 mm  

系列: OptiMOS 3  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5.15 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值: 50 S  

下降时间: 16 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 161 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 63 ns  

典型接通延迟时间: 38 ns  

零件号别名: BSC31N6NS3GXT SP000451482 BSC031N06NS3GATMA1  

单位重量: 100 mg

同时还提供灵活的控制接口,适应不同的控制器板.用在汽车车载充电器和EV/HEV汽车DC/DC转换器.

更低的开态(ON)电阻和紧凑的芯片尺寸,保证有更低的电容和栅极电容.因此,SiC MOSFET系统具有最高的效率,更快的工作频率,较高的功率密度,从而降低了EMI和系统尺寸.

器件有两种不同的配置.独立输出引脚配置允许采用专用的栅极电阻以得到单独的最佳开和关.配置具有单输出引脚和米勒钳位(CLAMP)功能,在半桥拓扑的快速换向时阻止栅极尖峰的发生.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）