全新的同步直流/直流降压控制器系列，此类器件支持工程师缩减电源解决方案的尺寸并降低其电磁干扰(EMI)。

通过减小无源元件的滤波负载，集成式AEF可减小无源元件的尺寸、体积和成本，从而使工程师实现尺寸更小的低EMI电源设计。

LM25149-Q1和LM25149控制器通过实现交错式双相操作以及集成自举二极管、环路补偿和输出电压反馈元件，进一步提高了功率密度，进而降低设计复杂度和成本。

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel®

零件状态

有源

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

18A（Ta），40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

4 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 36μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.1W（Ta），69W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TSDSON-8

封装/外壳

8-PowerTDFN

漏源电压（Vdss）

40V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

64nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

5100pF @ 20V

基本产品编号

BSZ040

DSI-2技术的两款图像传感器产品——SC233A与SC223A，以优异低光照成像性能为安防监控、车载电子以及智能家居等应用赋能。

传统的FSI和BSI技术之外开拓全新的技术道路，发布了基于其创新设计架构的第一代DSI像素技术，该技术相较主流FSI技术拥有更高的灵敏度与信噪比。

新一代DSI-2技术，相较前代技术产品在感光度及色彩表现力等性能上再度提升，同时思特威再次在DSI-2技术开发中融合了创新的像素工艺设计。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）