i.MX RT1020是工业交叉处理器,基于Arm® Cortex®-M7核,工作速率高达396MHz,提供高CPU性能和实时响应.i.MX RT1020处理器具有256KB片上RAM,可灵活配置成TCM或通用的片上RAM.

i.MX RT1020还提供多种存储器接口包括SDRAM, RAW NAND FLASH, NOR FLASH, SD/eMMC, Quad SPI和各种连接口包括UART, SPI, I2C, USB和CAN以及用来连接外设如WLAN, 蓝牙™和GPS.器件还具有丰富音频特性包括SPDIF和I2S音频接口.

此外还集成了各种模拟IP包括ADC,模拟比较器,温度传感器等.主要用在工业,马达控制,IoT和家用电器.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 21 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 78 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 2

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 21 S

下降时间: 4 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 24 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 20 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

零件号别名: BSC265N1LSFGXT SP000379618 BSC265N10LSFGATMA1

单位重量: 100 mg

新型AS585xB产品还带有内置自测（Built-In Self-Test）功能，用于在组装完成后快速、准确地验证数据采集系统是否正常工作。

这有助于制造商快速找出数据采集系统或探测器系统中的错误来源。

灵活优化速度和功率AS585xB系列提供三种产品型号。AS5850B在低噪声和高速度方面进行了优化，使FPD能够在动态或高速影像应用（如外科X射线拍摄）中获取高质量的影像，同时降低辐射剂量，将患者影响降至最低。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）