器件的数据速率为50Mbps,隔离层在1060 VRMS工作电压首有高寿命,高达5000 VRMS隔离指标,典型CMTI为±75 kV/μs,电源电压为1,71V到1.89V和2.25V到5.5V.

具有1.71V到5.5V的电平转移.1Mbps时每路的电流为1.8mA,传输时延为11ns,器件工作温度–40C 到 +125C,满足AEC-Q100规范和VDA320隔离要求.

主要用在混合和电动荡汽车牵引系统,电池管理系统(BMS),车载充电器,牵引逆变器,DC/DC转换器,逆变器和马达控制,电源,电网和电表以及电器设备.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 19.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 17 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 78 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 2

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 18 S

下降时间: 4 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 21 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 16 ns

典型接通延迟时间: 11 ns

零件号别名: BSC252N10NSF G SP000379608

单位重量: 159 mg

超低噪声AS5850B与最新的IGZO探测器技术、传统的TFT探测器类型都兼容。

数字X射线平板式探测仪（FPD）的一流读取IC家族推出了新产品--- AS585xB系列，该系列器件为客户提供了全新的灵活连接器选项，更降低了其整合到系统中的成本。

在输入电源或信号丢失时,默认输出是高电平(无后缀F器件),默认输出是低电平(带后缀F器件).

器件采用 2.86mm x 2.06mm 35引脚WLP封装.主要用在高达16V输入的非电池供电应用和具有EN控制的高达16V输入的电池供电的应用.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）