SHARC处理器是基于SHARC+®单核,具有Super Harvard架构,是32位/40位/64位浮点处理器,具有大容量片上SRAM,多种内部总线消除输入/输出(I/O)瓶颈,具有创新的数字音频接口(DAI),最适合用在高性能音频/浮点应用.

SHARC+处理核新增加的功能包括缓存增强功能和分支预测,而同时保持了以前SHARC产品的指令集功能.SHARC+处理器集成了丰富的业界一流系统外设和存储器,是需要相似于精简指令集(RISC)编程的应用平台的选择,并支持多媒体和一流边沿信号处理.

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    150 V    

Id-连续漏极电流:    56 A    

Rds On-漏源导通电阻:    16 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    3 V    

Qg-栅极电荷:    19 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    96 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

长度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   5.15 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   20 S  

下降时间:   2.6 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   3 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   10.8 ns  

典型接通延迟时间:   9.6 ns  

零件号别名:  BSC160N15NS5 SP001181422  

单位重量:  110 mg

SiC的独特高温特性和低开关损耗优势，这一结温不断提升的趋势将大大改变电力系统的设计格局。

这些目前典型的、未来还将出现的高温、高功率密度应用，包括深度整合的电动汽车动力总成、多电和全电飞机乃至电动飞机、移动储能充电站和充电宝，以及其他各种液体冷却受到严重限制的电力应用。

CISSOID IPM 智能功率模块除采用了国际上最流行的SiC MOSFET芯片外，我们也与中国国内的SiC芯片厂商开展深入合作，也相继推出了基于中国国产SiC MOSFET的IPM模块（CXT－PLA3SA550CA 和CMT－PLA3SB340CA）.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）