例如汽车电子市场的音频放大器,音响主机, ANC/RNC,后座娱乐设备, 数字驾驶舱以及消费类电子市场的扬声器,条形音响,AVR, 会议系统,混音控制台,麦克风阵列和耳机.

CISSOID 实现了功率模块和栅极驱动器的整体融合设计，且可通过仔细调整dv/dt去实现控制，通过快速切换所固有的电压过冲来优化IPM，从而将开关能量损耗降至最低。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 63 A

Rds On-漏源导通电阻: 10.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V

Qg-栅极电荷: 35 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 78 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 29 S

下降时间: 5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 7 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 19 ns

典型接通延迟时间: 12 ns

零件号别名: SP000778132 BSC19N1NS3GXT BSC109N10NS3GATMA1

单位重量: 300 mg

器件具有硬件安全引擎(HSE)和先进的功能安全性硬件和软件,工作温度-40C 到105C ,满足规范AEC-Q100 Grade 2.

器件有助于加速开发先进驾驶辅助系统(ADAS)和自主驾驶系统,并支持用于服务取向的网关,ECU整合和安全应用的高级操作系统.

该模块的安全运行区域（RBSOA）允许直流总线电压高达880V、峰值电流高达600A，从而使得800V电池电压系统的应用是绝对安全的。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）