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端到端系统效率提供超高集成度有助于无线充电技术覆盖范围

发布时间:2023/4/24 22:50:32 访问次数:202

3K级图像传感器SC500AI拍摄的静物影像,视频高清化的演进作为时下发展热点之一,未来无论是视频内容还是视频应用场景都将以影像质量作为发展基础。

思特威凭借着对客户差异化需求的不断深掘,敏锐地洞悉到2K与4K影像领域之间巨大的CIS蓝海市场并推出3K级产品系列,以更好地契合终端客户应用需求的升级。

思特威3K级系列图像传感器,不仅能够输出高品质3K影像,同时依托于全面提升的性能使其拥有极为出色的成像表现。

福建芯鸿科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com

制造商:    Infineon

产品种类:    MOSFET

RoHS:    详细信息

技术:    Si

安装风格:    SMD/SMT

封装 / 箱体:    TDSON-8

晶体管极性:    N-Channel

通道数量:    1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:    100 V

Id-连续漏极电流:    40 A

Rds On-漏源导通电阻:    19.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:    2 V

Qg-栅极电荷:    17 nC

最小工作温度:    - 55 C

最大工作温度:    + 150 C

Pd-功率耗散:    78 W

通道模式:    Enhancement

商标名:    OptiMOS

封装:    Cut Tape

封装:    MouseReel

封装:    Reel

配置:   Single

高度:   1.27 mm

长度:   5.9 mm

系列:   OptiMOS 2

晶体管类型:   1 N-Channel

宽度:   5.15 mm

商标:   Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:   18 S

下降时间:   4 ns

产品类型:   MOSFET

上升时间:   21 ns

工厂包装数量:   5000

子类别:   MOSFETs

典型关闭延迟时间:   16 ns

典型接通延迟时间:   11 ns

零件号别名:  BSC252N10NSF G SP000379608

单位重量:  159 mg

高通5G移动参考设计提供的交钥匙解决方案,旨在帮助智能手机OEM在旗舰及中端机型中实现低成本的无线快充,并具有多次可编程(MTP)和OTA更新功能,以简化软件开发与Qi认证流程。

瑞萨解决方案以超过85%的端到端系统效率提供超高集成度,有助于将无线充电技术的覆盖范围扩展至更广泛的客户群体,并简化添加无线充电功能的流程。

我们很高兴能与高通强化合作,共同开发先进的无线充电解决方案和开放、可靠的无线电源产品,从而加速量产进程。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

3K级图像传感器SC500AI拍摄的静物影像,视频高清化的演进作为时下发展热点之一,未来无论是视频内容还是视频应用场景都将以影像质量作为发展基础。

思特威凭借着对客户差异化需求的不断深掘,敏锐地洞悉到2K与4K影像领域之间巨大的CIS蓝海市场并推出3K级产品系列,以更好地契合终端客户应用需求的升级。

思特威3K级系列图像传感器,不仅能够输出高品质3K影像,同时依托于全面提升的性能使其拥有极为出色的成像表现。

福建芯鸿科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com

制造商:    Infineon

产品种类:    MOSFET

RoHS:    详细信息

技术:    Si

安装风格:    SMD/SMT

封装 / 箱体:    TDSON-8

晶体管极性:    N-Channel

通道数量:    1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:    100 V

Id-连续漏极电流:    40 A

Rds On-漏源导通电阻:    19.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:    2 V

Qg-栅极电荷:    17 nC

最小工作温度:    - 55 C

最大工作温度:    + 150 C

Pd-功率耗散:    78 W

通道模式:    Enhancement

商标名:    OptiMOS

封装:    Cut Tape

封装:    MouseReel

封装:    Reel

配置:   Single

高度:   1.27 mm

长度:   5.9 mm

系列:   OptiMOS 2

晶体管类型:   1 N-Channel

宽度:   5.15 mm

商标:   Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:   18 S

下降时间:   4 ns

产品类型:   MOSFET

上升时间:   21 ns

工厂包装数量:   5000

子类别:   MOSFETs

典型关闭延迟时间:   16 ns

典型接通延迟时间:   11 ns

零件号别名:  BSC252N10NSF G SP000379608

单位重量:  159 mg

高通5G移动参考设计提供的交钥匙解决方案,旨在帮助智能手机OEM在旗舰及中端机型中实现低成本的无线快充,并具有多次可编程(MTP)和OTA更新功能,以简化软件开发与Qi认证流程。

瑞萨解决方案以超过85%的端到端系统效率提供超高集成度,有助于将无线充电技术的覆盖范围扩展至更广泛的客户群体,并简化添加无线充电功能的流程。

我们很高兴能与高通强化合作,共同开发先进的无线充电解决方案和开放、可靠的无线电源产品,从而加速量产进程。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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