ESD保护器件，专门用于保护汽车应用中越来越多的高速接口，特别是与信息娱乐和车辆通讯相关的车载网络(IVN)。

随着数据传输速率的提高和车载电子含量的增加，EMC保护的需求变得越来越重要，提供正确的保护类型已成为设计工程师的巨大挑战。

Nexperia的TrEOS技术优化了ESD保护的三大关键参数（信号完整性、系统保护和鲁棒性），以提供具有低电容、低钳位电压和高ESD鲁棒性的理想组合的器件。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-7

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 160 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 137 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 167 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS-T2

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 33 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 22 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 29 ns

典型接通延迟时间: 28 ns

零件号别名: IPB16N4S4H1XT SP000711252 IPB160N04S4H1ATMA1

单位重量: 1.600 g

器件采用MMIC技术，具备研发部署大型雷达系统所需的小型化、高效率、高可靠性、以及优异的功率密度等特点，可有效应对大型雷达所面临的挑战。

有源电子扫描阵列（AESA）系统愈来愈受到研发的青睐，该系统主要运用于大型机载平台上，同时在陆地和海事细分市场也有采用。

AESA 系统使用有源阵列，每个阵列拥有数百甚至数千根天线。每一根天线均有其各自的相位和增益控制。天线元件的间距通常为半波长，以减少近场中的暴露。