传感器以辐射模式或差分/固定模式运行集成导体的电阻损耗
发布时间:2021/4/21 19:16:28 访问次数:249
YoleDéveloppement(Yole)将LiDAR视为实现汽车全自主化的一个关键组成部分,其功能必须达到2+及以上级别。
生产符合车规并具有足够性能水平的传感器,将成为汽车应用大规模采用LiDAR的关键推动力,根据目前的趋势,预计在2019年至2025(2)年之间的复合年增率为+144%。
附加功能根据应用的不同,传感器能够选择以辐射模式或差分/固定模式运行。
MLX91220的额定电压为5V,而MLX91221的额定电压为3.3V。
SOIC-8的标称隔离电压为2.4kVRMS,SOIC-16则为4.8kVRMS。

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 25 A
Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 3
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 25 S
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
零件号别名: BSC600N25NS3 G SP000676402
单位重量: 122.210 mg

这些传感器的集成导体的电阻损耗特别低:SOIC-8为0.9mΩ,SOIC-16则为0.75mΩ。根据差分测量原理,不需要对杂散场进行屏蔽。
通过结合内部和外部监控机制,确保优化双重片上过电流检测。内部OCD阈值的响应时间仅为2μs,外部响应时间为10μs。
无磁滞现象特殊的传感器概念可捕获集成的初级导体产生的磁场,从而省去铁磁集中器,可实现更高密度的电力电子设备。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
YoleDéveloppement(Yole)将LiDAR视为实现汽车全自主化的一个关键组成部分,其功能必须达到2+及以上级别。
生产符合车规并具有足够性能水平的传感器,将成为汽车应用大规模采用LiDAR的关键推动力,根据目前的趋势,预计在2019年至2025(2)年之间的复合年增率为+144%。
附加功能根据应用的不同,传感器能够选择以辐射模式或差分/固定模式运行。
MLX91220的额定电压为5V,而MLX91221的额定电压为3.3V。
SOIC-8的标称隔离电压为2.4kVRMS,SOIC-16则为4.8kVRMS。

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 25 A
Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 3
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 25 S
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
零件号别名: BSC600N25NS3 G SP000676402
单位重量: 122.210 mg

这些传感器的集成导体的电阻损耗特别低:SOIC-8为0.9mΩ,SOIC-16则为0.75mΩ。根据差分测量原理,不需要对杂散场进行屏蔽。
通过结合内部和外部监控机制,确保优化双重片上过电流检测。内部OCD阈值的响应时间仅为2μs,外部响应时间为10μs。
无磁滞现象特殊的传感器概念可捕获集成的初级导体产生的磁场,从而省去铁磁集中器,可实现更高密度的电力电子设备。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)