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传感器以辐射模式或差分/固定模式运行集成导体的电阻损耗

发布时间:2021/4/21 19:16:28 访问次数:249

YoleDéveloppement(Yole)将LiDAR视为实现汽车全自主化的一个关键组成部分,其功能必须达到2+及以上级别。

生产符合车规并具有足够性能水平的传感器,将成为汽车应用大规模采用LiDAR的关键推动力,根据目前的趋势,预计在2019年至2025(2)年之间的复合年增率为+144%。

附加功能根据应用的不同,传感器能够选择以辐射模式或差分/固定模式运行。

MLX91220的额定电压为5V,而MLX91221的额定电压为3.3V。

SOIC-8的标称隔离电压为2.4kVRMS,SOIC-16则为4.8kVRMS。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    250 V    

Id-连续漏极电流:    25 A    

Rds On-漏源导通电阻:    50 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    2 V    

Qg-栅极电荷:    29 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    125 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

长度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   5.15 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   25 S  

下降时间:   8 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   10 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   22 ns  

典型接通延迟时间:   10 ns  

零件号别名:  BSC600N25NS3 G SP000676402  

单位重量:  122.210 mg  

这些传感器的集成导体的电阻损耗特别低:SOIC-8为0.9mΩ,SOIC-16则为0.75mΩ。根据差分测量原理,不需要对杂散场进行屏蔽。

通过结合内部和外部监控机制,确保优化双重片上过电流检测。内部OCD阈值的响应时间仅为2μs,外部响应时间为10μs。

无磁滞现象特殊的传感器概念可捕获集成的初级导体产生的磁场,从而省去铁磁集中器,可实现更高密度的电力电子设备。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

YoleDéveloppement(Yole)将LiDAR视为实现汽车全自主化的一个关键组成部分,其功能必须达到2+及以上级别。

生产符合车规并具有足够性能水平的传感器,将成为汽车应用大规模采用LiDAR的关键推动力,根据目前的趋势,预计在2019年至2025(2)年之间的复合年增率为+144%。

附加功能根据应用的不同,传感器能够选择以辐射模式或差分/固定模式运行。

MLX91220的额定电压为5V,而MLX91221的额定电压为3.3V。

SOIC-8的标称隔离电压为2.4kVRMS,SOIC-16则为4.8kVRMS。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    250 V    

Id-连续漏极电流:    25 A    

Rds On-漏源导通电阻:    50 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    2 V    

Qg-栅极电荷:    29 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    125 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

长度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   5.15 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   25 S  

下降时间:   8 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   10 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   22 ns  

典型接通延迟时间:   10 ns  

零件号别名:  BSC600N25NS3 G SP000676402  

单位重量:  122.210 mg  

这些传感器的集成导体的电阻损耗特别低:SOIC-8为0.9mΩ,SOIC-16则为0.75mΩ。根据差分测量原理,不需要对杂散场进行屏蔽。

通过结合内部和外部监控机制,确保优化双重片上过电流检测。内部OCD阈值的响应时间仅为2μs,外部响应时间为10μs。

无磁滞现象特殊的传感器概念可捕获集成的初级导体产生的磁场,从而省去铁磁集中器,可实现更高密度的电力电子设备。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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