导通模式(CCM) PFC控制电路可编程(MTP)和OTA更新功能

发布时间:2021/4/14 22:27:11 访问次数:469

高通5G移动参考设计提供的交钥匙解决方案，旨在帮助智能手机OEM在旗舰及中端机型中实现低成本的无线快充，并具有多次可编程（MTP）和OTA更新功能，以简化软件开发与Qi认证流程。

瑞萨解决方案以超过85%的端到端系统效率提供超高集成度，有助于将无线充电技术的覆盖范围扩展至更广泛的客户群体，并简化添加无线充电功能的流程。

新一代数字I/O单元，模块化设计可自由延伸和拓展所需I/O数，无螺钉设计可降低安装成本，并支持智能工厂中几乎所有的现场应用。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TISON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 25 V

Id-连续漏极电流: 50 A, 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms, 3.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V

Qg-栅极电荷: 5.6 nC, 20 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W, 6.25 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.15 mm

长度: 6 mm

系列: OptiMOS 5

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 5 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 46 S, 90 S

下降时间: 1.4 ns, 2.6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4.3 ns, 4.7 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 4.3 ns, 8.8 ns

典型接通延迟时间: 4.3 ns, 5.6 ns

零件号别名: BSG0811ND SP001075902

单位重量: 112.200 mg

通过加入升压二极管，减少了散热片的安装，从而使设计更简单，温升性能更佳。

而且，将Qspeed二极管集成在IC内部可以将走线上的寄生电感最小化，进而在交流输入发生浪涌的情况下具有更高的可靠性，功率开关在瞬态期间其两端呈现的电压尖峰最多可降低50V。

HiperPFS-4 IC可以在20%以上负载时实现大于0.95的功率因数。

当采用385VDC的恒压母线供电时，集成的600V MOSFET能够轻松满足80％的降额要求。HiperPFS-4 IC将连续导通模式(CCM) PFC控制电路、升压二极管和600V MOSFET集成在一个器件中。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）