与Wi-Fi 5和Wi-Fi 4相比，无线覆盖范围增加了一倍； 覆盖范围比典型的Wi-Fi 6/6E解决方案高40%； 通过增强的干扰抑制提高连接可靠性.

更低的延迟和更好的Wi-Fi/BT共存，可改善复杂网络环境中的多媒体流和游戏响应能力； 节电20%以上，从而延长了电池寿命； 具有安全启动、固件身份验证和加密以及生命周期管理的多层安全防护，为物联网应用带来更高级别的安全性。

这使它们成为游戏机、AR/VR、智能音箱、媒体流设备和汽车信息娱乐系统等高质量视频和音频流应用的理想选择。要求实时响应的应用（如安防系统和工业自动化）也将从英飞凌的新产品中受益。

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

包装

管件

零件状态

停產

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

12.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

9 毫欧 @ 12.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.5W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SO

封装/外壳

8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽）

漏源电压（Vdss）

30V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

78nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2240pF @ 15V

Keysight SL1200A 系列为客户提供了以下重要优势：

大功率三相交流和直流电源与 EV/EVSE 充电和逆变器测试解决方案融于一体，可以对器件进行完整的测试。

直流输出（选件 SDC）支持高达 1000 V DC 和 120 kW 的大功率直流充电测试；可以避免使用额外的设备，从而大幅降低成本。

100% 可再生（双向）电源解决方案，效率> 85%，凭借高度集成的功能降低测试成本。

无需使用额外的设备即可实现 1200 V 两线间（L-L）电压且达到技术指标，从而能够降低成本、提高性能、节省空间。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）