激光驱动器EPC21603，在单个芯片上集成了40 V、10 A 场效应晶体管、栅极驱动器和LVDS逻辑电平输入，面向飞行时间（ToF）激光雷达系统，用于机器人、无人机、增强现实（AR）和电玩等应用。

EPC21603采用LVDS逻辑电路来控制，能够在超过100 MHz的超高频率和低于2 ns的超短脉冲下，调制并实现高达10A的激光驱动电流。

EPC21603集成了基于EPC专有的氮化镓IC技术的单芯片驱动器和氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET），采用芯片级BGA封装，其外形尺寸仅为1.5 mm x 1.0 mm。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TISON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    2 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    30 V    

Id-连续漏极电流:    40 A    

Rds On-漏源导通电阻:    3.9 mOhms, 1.2 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    1.2 V    

Qg-栅极电荷:    8.9 nC, 33 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    2.5 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Dual  

高度:   1.27 mm  

长度:   5.9 mm  

晶体管类型:   2 N-Channel  

宽度:   5.15 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   38 S, 70 S  

下降时间:   2.4 ns, 3.6 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   3.4 ns, 5 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   12 ns, 25 ns  

典型接通延迟时间:   1.8 ns, 5 ns  

零件号别名:  BSC0921NDI SP000934748  

单位重量:  101.660 mg

高度可靠的车载充电器和DC-DC变流器产品。VMAX在其新一代OBC/DC-DC系统中使用了英飞凌最新推出的CoolSiC混合分立器件。

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