TSC2010的增益变化为20V/V，TSC2011为60V/V，TSC2012为100V/V，能够为工业和汽车系统灵活地构建精确的电流测量、过流保护、电流监测和电流反馈电路。

目标应用包括数据采集、电机控制、电磁阀控制、仪器仪表、测试测量以及过程控制。

这三款新放大器的双向检测功能允许用一个电流检测电路测量正反电流，有助于设计人员缩减物料清单成本。

新产品还适用于高低边两种连接配置，允许高低边共用相同型号的器件，从而简化库存管理工作。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    PG-TDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    200 V    

Id-连续漏极电流:    15.2 A    

Rds On-漏源导通电阻:    77 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    2 V    

Qg-栅极电荷:    9 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    62.5 W    

通道模式:    Enhancement    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

长度:   5.9 mm  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   5.15 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   8 S  

下降时间:   3 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   4 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   10 ns  

典型接通延迟时间:   5 ns  

零件号别名:  BSC9N2NS3GXT SP000781780 BSC900N20NS3GATMA1  

单位重量:  100 mg

超小尺寸单点测距传感器是近几年新兴的技术，为人熟知是在苹果iPhone X发布后，带人脸识别功能的手机出货量快速上升，这其中就用到了单点测距传感器.

它先于人脸识别器件启动前工作，可起到节能的作用，不仅如此，手机上需要应用单点测距传感器的应用场景也逐渐增多，如摄像头辅助对焦、背景虚化等.

在其他的一些应用场景单点测距传感器也有较多的应用，如智能家居中的应用、扫地机器人的避障、平板/学习机护眼功能、节能辅助等等。

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