新的RDM系列硅光电倍增管 (SiPM)阵列，将激光雷达 (LiDAR) 传感器能力扩展到其广泛的智能感知方案阵容。ArrayRDM-0112A20-QFN是市场上首款符合车规的SiPM产品，应对汽车行业及其他领域LiDAR应用中不断增长的需求。

ArrayRDM-0112A20-QFN是单片1×12 SiPM像素阵列，基于安森美半导体领先市场的RDM工艺，可实现对近红外 (NIR)光的高灵敏度，从而在905纳米(nm)处达到领先业界的18.5％的光子探测效率 (PDE)。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    60 V    

Id-连续漏极电流:    100 A    

Rds On-漏源导通电阻:    2.7 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    2.3 V    

Qg-栅极电荷:    30 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    83 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    Reel    

配置:   Single  

晶体管类型:   1 N-Channel  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   60 S  

下降时间:   5.4 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   4.8 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   25 ns  

典型接通延迟时间:   7.7 ns  

零件号别名:  BSC0702LS SP001589462  

单位重量:  118.510 mg

基于144层QLC（四层单元）技术的客户端固态盘——英特尔®固态盘670p。

固态盘670p基于英特尔144层QLC 3D NAND技术，每裸片容量为128GB。与上一代固态盘相比，英特尔固态盘670p的读取性能提高了2倍，随机读取性能提高了38%，时延降低多达50%。

通过提供峰值性能、最高2TB的容量和增强的可靠性，英特尔固态盘670p是轻薄型笔记本电脑理想的存储解决方案。

固态盘670p采用纤薄的M.2 80毫米外形规格，非常适合轻薄型笔记本电脑和台式机。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）