仪器与 Keysight OpenTAP软件集成在同一个平台中，可提供高效的功能测试测量；其 PXI 体系结构设计可支持是德科技和第三方的仪器。

超低功耗微控制器STM32U5*系列，以满足穿戴、个人医疗、家庭自动化和工业传感器等对低功耗有严格高要求的智能应用设备。

STM32 MCU基于高效节能的Arm®Cortex®-M处理器处于市场领先，已经被广泛应用于家电、工业控制、计算机外设、通信设备、智慧城市及基础设施等数十亿个设备中。

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel®

零件状态

有源

FET 类型

2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能

逻辑电平栅极，4.5V 驱动

漏源电压（Vdss）

30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

17A，32A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

5 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

10nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1160pF @ 15V

功率 - 最大值

1W

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerTDFN

供应商器件封装

PG-TISON-8

基本产品编号

BSC0924

环境与出口分类

属性 描述

RoHS 状态 符合 ROHS3 规范

湿气敏感性等级 (MSL) 1（无限）

REACH 状态 非 REACH 产品

ECCN EAR99

HTSUS 8541.29.0095

地弹电压会造成驱动器输入端等效出现负电压，因为内部等效体二极管，大多数栅极驱动器能够承受一定的负压脉冲。然而，亦有必要采取预防措施，以防止驱动器输入端的过冲和欠压尖峰过大，而对驱动芯片造成损坏，或产生误动作。

从上面等式可以看出，负向电压与寄生电感和电流变化率均成正比。

在典型的低边栅极驱动电路中，虽然控制器和功率MOSFET使用同一个直流地平面作为参考，但一些情况下，由于驱动器和控制器有一定距离，所以总会存在寄生电感。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）