650 V CoolSiC™混合分立器件。该器件包含一个50 A TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。

这种组合为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质与性价比的完美方案，除支持双向充电之外，还有助于实现很高的系统集成度。

这使得该器件非常适合诸多快速开关汽车应用，如车载充电器（OBC）、功率因数校正（PFC）、DC-DC和DC-AC变流器等。

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel®

零件状态

有源

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

17A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

290 毫欧 @ 11A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 1mA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

227W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3-2

封装/外壳

TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

漏源电压（Vdss）

800V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

177nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2300pF @ 100V

基本产品编号

SPB17N80

集成式快速开关50 A IGBT的关断性能优于纯硅解决方案，可与MOSFET媲美。较之常规的碳化硅MOSFET，这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间，能以更低成本实现95％至97％的系统效率。

此外，CoolSiC肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。相比纯硅设计而言，该器件是实现硬换向的理想器件，损耗可降低30%。

由于具有较低的冷却要求，该二极管还能降低系统成本，带来极佳的性价比优势。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）