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外设功能和蓝牙驱动代码无线特性评估实现高效电机控制

发布时间:2021/4/16 23:50:35 访问次数:335

Smart Configurator帮助开发人员利用GUI生成用于外设功能和蓝牙驱动代码,并配置引脚设置。

QE for BLE则可帮助开发人员生成用于自定义蓝牙配置文件的程序。蓝牙测试工具套件提供GUI,允许开发人员执行初始无线特性评估和蓝牙功能验证。

这些工具适用于开发过程中各个环节,为开发人员带来从初始阶段到应用产品开发全面支持,显著提高开发效率。

RX23W模块可与瑞萨模拟和电源产品相结合,开发适用于各类应用的全面解决方案。

分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带(TR)

剪切带(CT)

Digi-Reel®

零件状态

有源

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

20A(Ta),40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

3.5 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250μA

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

功率耗散(最大值)

2.1W(Ta),69W(Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TSDSON-8

封装/外壳

8-PowerTDFN

漏源电压(Vdss)

30V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

56nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4400pF @ 15V

基本产品编号

BSZ035

RAJ306001和RAJ306010是单封装电机控制IC,可控制广泛应用于各类电池供电设备中的三相BLDC电机。全新IC将RL78/G1F微控制器(MCU)和前置驱动器集成至8mmx8mmQFN封装中。

考虑到热量管理,全新IC具备自校准死区时间(SADT)以防止直通击穿,提供可调节前置驱动器输出电流容量(高达500mA)以驱动大容量MOSFET,从而使散热设计更简单。

这使得IC可在最佳开关时序驱动MOSFET——与传统系统相比,将FET开关裕量时间缩短至约1/10,减少发热,从而实现高效电机驱动控制。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

Smart Configurator帮助开发人员利用GUI生成用于外设功能和蓝牙驱动代码,并配置引脚设置。

QE for BLE则可帮助开发人员生成用于自定义蓝牙配置文件的程序。蓝牙测试工具套件提供GUI,允许开发人员执行初始无线特性评估和蓝牙功能验证。

这些工具适用于开发过程中各个环节,为开发人员带来从初始阶段到应用产品开发全面支持,显著提高开发效率。

RX23W模块可与瑞萨模拟和电源产品相结合,开发适用于各类应用的全面解决方案。

分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带(TR)

剪切带(CT)

Digi-Reel®

零件状态

有源

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

20A(Ta),40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

3.5 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250μA

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

功率耗散(最大值)

2.1W(Ta),69W(Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TSDSON-8

封装/外壳

8-PowerTDFN

漏源电压(Vdss)

30V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

56nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4400pF @ 15V

基本产品编号

BSZ035

RAJ306001和RAJ306010是单封装电机控制IC,可控制广泛应用于各类电池供电设备中的三相BLDC电机。全新IC将RL78/G1F微控制器(MCU)和前置驱动器集成至8mmx8mmQFN封装中。

考虑到热量管理,全新IC具备自校准死区时间(SADT)以防止直通击穿,提供可调节前置驱动器输出电流容量(高达500mA)以驱动大容量MOSFET,从而使散热设计更简单。

这使得IC可在最佳开关时序驱动MOSFET——与传统系统相比,将FET开关裕量时间缩短至约1/10,减少发热,从而实现高效电机驱动控制。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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