瑞萨科技发布HAT1125H P沟道功率MOSFET
发布时间:2007/9/1 0:00:00 访问次数:360
文章加入时间:2004年6月28日9:10:25
瑞萨科技发布HAT1125H P沟道功率MOSFET,是业界导通电阻最低的SOP-8尺寸封装产品。
用于笔记本电脑的电源管理开关的功率MOSFET,与瑞萨科技先前的产品相比,其导通电阻大约减小了25%,有助于减小系统功耗和尺寸。
瑞萨科技公司近日发布了HAT1125H –30 V击穿电压P沟道功率MOSFET,它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)导通电阻,用于笔记本电脑和类似产品中的电源管理开关和锂离子电池充电/放电控制。
与瑞萨科技先前的产品相比,HAT1125H的导通电阻大约减小了25%,是业界导通电阻最低的工业标准SOP-8尺寸小型表面安装封装产品。由于其损耗很低,将有助于设计小型、节省空间的系统。
文章加入时间:2004年6月28日9:10:25
瑞萨科技发布HAT1125H P沟道功率MOSFET,是业界导通电阻最低的SOP-8尺寸封装产品。
用于笔记本电脑的电源管理开关的功率MOSFET,与瑞萨科技先前的产品相比,其导通电阻大约减小了25%,有助于减小系统功耗和尺寸。
瑞萨科技公司近日发布了HAT1125H –30 V击穿电压P沟道功率MOSFET,它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)导通电阻,用于笔记本电脑和类似产品中的电源管理开关和锂离子电池充电/放电控制。
与瑞萨科技先前的产品相比,HAT1125H的导通电阻大约减小了25%,是业界导通电阻最低的工业标准SOP-8尺寸小型表面安装封装产品。由于其损耗很低,将有助于设计小型、节省空间的系统。