10Gbps速率的和各种系统标准如OC-192/STM-64 SONET/SDH, Quad OC-48/STM-16 10 Gbps以太网和10 Gbps OTN的线路接口。

嵌入带可编M/N乘法器/除法器的PLL在线路侧和系统侧之间提供灵活的数据速率转换。

这款芯片只需采用两个电源，一个为核心与模拟系统提供 1.8 伏 ，而另一个则为模拟系统与输入/输出提供 2.5 伏。

线路侧提供多线路频率的16位LVDS数据，支持高达667MHz的频率，它取决于系统的标准。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    PG-TSDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    30 V    

Id-连续漏极电流:    149 A    

Rds On-漏源导通电阻:    2 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    2 V    

Qg-栅极电荷:    44 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

长度:   3.3 mm  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   3.3 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   70 S  

下降时间:   4.6 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   6.8 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   28 ns  

典型接通延迟时间:   5.4 ns  

零件号别名:  SP000792362 BSZ19N3LSXT BSZ019N03LSATMA1  

单位重量:  100 mg

GigPHYTER V 芯片最适用于 10/100/1000 Mbps 的以太网局域网 (LAN)。

这款芯片可通过外部变压器直接与双绞线媒体连接，也可通过 IEEE 802.3u 标准媒体独立接口 (MII) 及 IEEE 802.3z 千兆位 GMII 直接与媒体存取控制器 (MAC) 连接。

电缆长度可超过 IEEE 的规定，以便质素较差的网络电缆有较大的承受能力及较大的空间可以发挥更高的性能。

国家半导体今后推出的新一代千兆位以太网物理层芯片将全部采用 GigPHYTER V 的这种设计。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）