封装为16个焊盘5x5mm无引脚QFN封装所占空间小散热效率高
发布时间:2023/6/22 17:29:16 访问次数:147
ALM-1712采用先进的GaAs E-pHEMT和FBAR技术,具有非常低的噪音,典型值为1.65dB,关断电六小于1uA,RF输入引脚的ESD大于3KV,电源电压可低到1.0V,并能通过单一外接电阻调整偏压电流.
场效应管的源极S,栅极G,漏极D分别对应于三极管的发射极e,基极b,集电极c,它们的作用相似,N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚,P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
场效应管是电压控制电流器件,由VGS控制ID,普通的晶体三极管是电流控制电流器件,由IB控制IC,MOS管道放大系数是(跨导gm)当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培,晶体三极管是电流放大系数(贝塔β)当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
http://yushuokj.51dzw.com深圳市裕硕科技有限公司
制造商:Micron Technology 产品种类:动态随机存取存储器 类型:SDRAM Mobile - LPDDR 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VFBGA-90 数据总线宽度:32 bit 组织:64 M x 32 存储容量:2 Gbit 最大时钟频率:208 MHz 访问时间:4.8 ns 电源电压-最大:1.95 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:75 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 系列: 封装:Tray 商标:Micron 湿度敏感性:Yes 产品类型:DRAM 1440 子类别:Memory & Data Storage
它的封装为16个焊盘的5x5mm无引脚QFN封装所占空间小散热效率高。
因此,可用在IEEE 802.11b, 11Mbps和54Mbps标准的接入点和WLAN卡,2.4GHz ISM频段和TDMA包协议无线电发送。
ISL3985 RFPA通过调节外接的低温度系数电阻来设定偏置电流,以优化其工作性能。片内的偏压网络提供最佳的偏置电流和温度补偿。
ISL3985的功率检测提供正比于输出功率对数的DC输出电压。
LM5118是宽电压范围的升/降压开关稳压器控制器,具有实现高性能高性价比升/降压稳压器所有功能,输入电压从3V到75V,开关频率可编程到500kHz.
控制器包括用来驱动高边降压MOSFET和低边升压MOSFET的驱动器,降压模式和升压模式可平滑变换,特别适合于汽车电子应用.
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
ALM-1712采用先进的GaAs E-pHEMT和FBAR技术,具有非常低的噪音,典型值为1.65dB,关断电六小于1uA,RF输入引脚的ESD大于3KV,电源电压可低到1.0V,并能通过单一外接电阻调整偏压电流.
场效应管的源极S,栅极G,漏极D分别对应于三极管的发射极e,基极b,集电极c,它们的作用相似,N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚,P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
场效应管是电压控制电流器件,由VGS控制ID,普通的晶体三极管是电流控制电流器件,由IB控制IC,MOS管道放大系数是(跨导gm)当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培,晶体三极管是电流放大系数(贝塔β)当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
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制造商:Micron Technology 产品种类:动态随机存取存储器 类型:SDRAM Mobile - LPDDR 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VFBGA-90 数据总线宽度:32 bit 组织:64 M x 32 存储容量:2 Gbit 最大时钟频率:208 MHz 访问时间:4.8 ns 电源电压-最大:1.95 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:75 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 系列: 封装:Tray 商标:Micron 湿度敏感性:Yes 产品类型:DRAM 1440 子类别:Memory & Data Storage
它的封装为16个焊盘的5x5mm无引脚QFN封装所占空间小散热效率高。
因此,可用在IEEE 802.11b, 11Mbps和54Mbps标准的接入点和WLAN卡,2.4GHz ISM频段和TDMA包协议无线电发送。
ISL3985 RFPA通过调节外接的低温度系数电阻来设定偏置电流,以优化其工作性能。片内的偏压网络提供最佳的偏置电流和温度补偿。
ISL3985的功率检测提供正比于输出功率对数的DC输出电压。
LM5118是宽电压范围的升/降压开关稳压器控制器,具有实现高性能高性价比升/降压稳压器所有功能,输入电压从3V到75V,开关频率可编程到500kHz.
控制器包括用来驱动高边降压MOSFET和低边升压MOSFET的驱动器,降压模式和升压模式可平滑变换,特别适合于汽车电子应用.
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