RF2870的性能设计成超出CDMA手机通信的暂行标准，提供三态增益控制，以满足IS-98要求IMD的测试。

器件还有TXLO缓冲放大器，LNA增益，混频器增益和关断模式的数字控制。

和其它有引线封装相比,体积比TSOP-6封装减少21%,导通电阻降低79%(28毫欧姆对135毫欧姆)。

RF2870放大器和下变换RF信号，其增益为台阶式控制，混频器中采用外接设定电流的电阻来调整IIP3，获得最低直流电流消耗。

该器件级联噪音图为1.9dB,级联增益为25dB。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    PG-TSDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    60 V    

Id-连续漏极电流:    98 A    

Rds On-漏源导通电阻:    4.9 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    2.8 V    

Qg-栅极电荷:    27 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

长度:   3.3 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   3.3 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   27 S  

下降时间:   6 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   7 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   19 ns  

典型接通延迟时间:   10 ns  

零件号别名:  BSZ042N06NS SP000917418  

单位重量:  36.760 mg  

十八种新型N沟MOSFET，它封装在业界第一个无底封装，结合了比TO-263(D2-PAK)好得多的热性能和很低的导通电阻的优点。

这十八种新产品包括用于48V通信中的DC/DC变换的150V MOSFET的两种，200V的两种V.

用于正向DC/DC变换和半桥变换器的40V的六种；用在计算机和同步整流器中的20V的四种和30V的四种。

两种BGA封装双N沟和双P沟的20V MOSFET,其物理特性和电性能都适合用在锂离子电池盒保护应用。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）