1M位磁阻随机存储器(MRAM)通用存储芯片。

1M位MRAM存储器能消除电子设备中共同问题，如计算机和手机的上电慢，数据遗失，装载数据长时间等待，电池寿命短等。

MRAM设计成允许所有的程序和数据保持在局部的存储器，即使在电源关断时。它也能期望消除手机开机时的延时。

存储器芯片技术能把多种存储器集成在单一芯片中。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 26 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 50 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 38 S

下降时间: 3.6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 21 ns

典型接通延迟时间: 5.2 ns

零件号别名: BSZ5N3LSGXT SP000304139 BSZ050N03LSGATMA1

单位重量: 39.770 mg

PR4101是大功率LED降压驱动器,能串通方式驱动一个或多个大功率LED.

工作电压可高达40V,采用外接N沟MOSFET开关管,输出电流可高达1A.可用于卤素灯,通用照明,告警照明,汽车照明,信号指示和LCD背景光.

PR4404是适用于0.5W/1W大功率LED的低压升压驱动器,能从单电池(1.2V/1.5V)提供高达150mA LED电流或从两节电池(2.4V/3.0V)提供高达300mA LED电流.

因此,PR4404可广泛用在LED火炬,LCD屏背光,家庭照明和玩具.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）