在开关电源设计中，实现低EMI电源和小解决方案尺寸通常是相互矛盾的。

LM25149-Q1和LM25149控制器通过实现交错式双相操作以及集成自举二极管、环路补偿和输出电压反馈元件，进一步提高了功率密度，进而降低设计复杂度和成本。

工程师还可以利用外部反馈和环路补偿进一步优化其设计。

在多个频带上将电源设计的传导EMI降低多达55 dBμV，或者同时缩减滤波器尺寸和降低EMI。在这两种设计方案中，DRSS技术都有助于在低频和高频频带上将EMI进一步降低5 dBμV。

制造商:Nexperia 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:320 mA Rds On-漏源导通电阻:1.6 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV Qg-栅极电荷:0.72 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:310 mW 通道模式:Enhancement 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:1 N-Channel Trench MOSFET 商标:Nexperia 下降时间:4 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:3 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:9 ns 典型接通延迟时间:2 ns 零件号别名:934064987115 单位重量:5 mg

超低功耗非易失PLD器件,共有六个器件,查找表(LUT)从256到6864.

此外,基于LUT,低成本可编逻辑这些器件具有嵌入区块RAM(EBR),分布式RAM,用户闪存(UFM),锁相环(PLL),支持预工程源同步I/O,支持先进的配置包括双引导功能和通用功能的硬化版本包括SPI控制器,I2C 控制器和计时器/计数器.

MachXO2系列产品采用65nm非易失低功耗工艺,器件的架构有几个特性如可编低摆动差分I/O和能够关断I/O 组(bank),片上PLL和动态振荡器.

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