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对称和非对称加密加速器高速PCIe 3.0接口

发布时间:2021/4/6 22:56:24 访问次数:244

Lexar雷克沙SD Express存储卡推出SD Express和microSD Express两种形态,其中SD Express最高容量可达512GB,microSD Express最高容量可达256GB,实测读取速度为824MB/s,写入速度为410MB/s ,预计将于2021年第二季度陆续推出。

目前Lexar雷克沙已与相关主机设备原厂合作导入中。

Lexar雷克沙SD Express存储卡实测跑分SD Express存储卡,采用高速PCIe 3.0接口,标志着存储卡技术的革新。

制造商:Micron Technology 产品种类:NAND闪存 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VFBGA-63 系列: 存储容量:1 Gbit 接口类型:Parallel 组织:128 M x 8 定时类型:Asynchronous 数据总线宽度:8 bit 电源电压-最小:1.7 V 电源电压-最大:1.95 V 电源电流—最大值:35 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 产品:NAND Flash 商标:Micron 有源读取电流(最大值):35 mA 产品类型:NAND Flash 1260 子类别:Memory & Data Storage

RA6M5 MCU采用基于Armv8-M架构的Arm® Cortex®-M33内核,并支持Arm TrustZone®技术和瑞萨安全加密引擎。

安全加密引擎包含多个对称和非对称加密加速器、高级密钥管理、安全的产品生命周期管理、抵抗功耗分析攻击以及篡改检测功能。

全新RA6M5产品群提供与瑞萨RA6M4 MCU相同的安全功能和软件支持(RA6M4已通过PSA 2级认证和SESIP1认证)。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

Lexar雷克沙SD Express存储卡推出SD Express和microSD Express两种形态,其中SD Express最高容量可达512GB,microSD Express最高容量可达256GB,实测读取速度为824MB/s,写入速度为410MB/s ,预计将于2021年第二季度陆续推出。

目前Lexar雷克沙已与相关主机设备原厂合作导入中。

Lexar雷克沙SD Express存储卡实测跑分SD Express存储卡,采用高速PCIe 3.0接口,标志着存储卡技术的革新。

制造商:Micron Technology 产品种类:NAND闪存 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VFBGA-63 系列: 存储容量:1 Gbit 接口类型:Parallel 组织:128 M x 8 定时类型:Asynchronous 数据总线宽度:8 bit 电源电压-最小:1.7 V 电源电压-最大:1.95 V 电源电流—最大值:35 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 产品:NAND Flash 商标:Micron 有源读取电流(最大值):35 mA 产品类型:NAND Flash 1260 子类别:Memory & Data Storage

RA6M5 MCU采用基于Armv8-M架构的Arm® Cortex®-M33内核,并支持Arm TrustZone®技术和瑞萨安全加密引擎。

安全加密引擎包含多个对称和非对称加密加速器、高级密钥管理、安全的产品生命周期管理、抵抗功耗分析攻击以及篡改检测功能。

全新RA6M5产品群提供与瑞萨RA6M4 MCU相同的安全功能和软件支持(RA6M4已通过PSA 2级认证和SESIP1认证)。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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