集成的SiC二极管反向恢复性能优化系统的电磁兼容性
发布时间:2021/4/5 17:10:37 访问次数:608
高度可靠的车载充电器和DC-DC变流器产品。VMAX在其新一代OBC/DC-DC系统中使用了英飞凌最新推出的CoolSiC混合分立器件。
借助CoolSiC混合分立器件，我们可以简化驱动器设计，从而缩短了产品研发时间、降低了研发成本、提高了系统鲁棒性。
集成的SiC二极管所具有的反向恢复性能进一步优化了系统的电磁兼容性。因此在图腾柱PFC、DAB等拓扑架构中具备更大的性能优势和更高的性价比。
制造商Infineon Technologies系列包装卷带（TR）剪切带（CT）
零件状态有源FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）9.1 毫欧 @ 20A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 250μAVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）2.1W（Ta），30W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装PG-TSDSON-8封装/外壳8-PowerTDFN漏源电压（Vdss）30V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）23nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1700pF @ 15V
此外，CoolSiC肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。
相比纯硅设计而言，该器件是实现硬换向的理想器件，损耗可降低30%。由于具有较低的冷却要求，该二极管还能降低系统成本，带来极佳的性价比优势。
紧密的合作关系。该项目进一步凸显出我们在车载充电器应用领域的强势地位。供货情况车用CoolSiC™混合分立器件现已开始供货。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
高度可靠的车载充电器和DC-DC变流器产品。VMAX在其新一代OBC/DC-DC系统中使用了英飞凌最新推出的CoolSiC混合分立器件。
借助CoolSiC混合分立器件，我们可以简化驱动器设计，从而缩短了产品研发时间、降低了研发成本、提高了系统鲁棒性。
集成的SiC二极管所具有的反向恢复性能进一步优化了系统的电磁兼容性。因此在图腾柱PFC、DAB等拓扑架构中具备更大的性能优势和更高的性价比。
制造商Infineon Technologies系列包装卷带（TR）剪切带（CT）
零件状态有源FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）9.1 毫欧 @ 20A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 250μAVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）2.1W（Ta），30W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装PG-TSDSON-8封装/外壳8-PowerTDFN漏源电压（Vdss）30V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）23nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1700pF @ 15V
此外，CoolSiC肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。
相比纯硅设计而言，该器件是实现硬换向的理想器件，损耗可降低30%。由于具有较低的冷却要求，该二极管还能降低系统成本，带来极佳的性价比优势。
紧密的合作关系。该项目进一步凸显出我们在车载充电器应用领域的强势地位。供货情况车用CoolSiC™混合分立器件现已开始供货。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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