Allan 方差特征增强的性能，出色的 4 μg 偏置稳定性，0.006 m/s/√h 的速率随机游走，以及 15μg/√Hz 的超低噪音密度等诸多优势共同铸就了该加速度计的高分辨率和低误差特性。

其采用密封的SMD J引线陶瓷封装 (12 x 12 x 5 mm)，重量仅为 1.4 g，极为轻巧，能降低印刷电路板上的组装成本并确保可靠性，即使在温度骤变的情况下也不例外。

AXO315 加速度传感器由法国格勒诺布尔的 Tronics Microsystems 工厂生产、测试和校准，目前已完成试生产和客户抽样测试。

制造商:Maxim Integrated 产品种类:NVRAM RoHS: 详细信息 封装 / 箱体:EDIP-28 接口类型:Parallel 存储容量:256 kbit 组织:32 k x 8 数据总线宽度:8 bit 访问时间:120 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电源电流:85 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 系列:DS1230Y 封装:Tube 高度:9.4 mm 长度:39.12 mm 类型:NVSRAM 宽度:18.8 mm 商标:Maxim Integrated 安装风格:Through Hole 工作电源电压:5 V 产品类型:NVRAM 工厂包装数量:12 子类别:Memory & Data Storage 零件号别名:DS1230Y 90-1230Y+12I 单位重量:25.164 g

与单个MOSFET解决方案相比，通过将两个TrenchFET® MOSFET封装在一个非对称封装中，今天发布的这款汽车级器件减少了元件数量和电路板空间需求，同时提高了功率密度。

此外，其控制（高边）和同步（低边）MOSFET在裸片尺寸上的优化组合，可在占空比低于50％的功率转换中提供高于对称双器件的效率。

SQJ264EP的通道1 MOSFET在10 V时最大导通电阻为20 mW，典型栅极电荷为9.2 nC，而通道2 MOSFET在10 V时的导通电阻为8.6 mW，典型栅极电荷为19.2 nC。

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