IEGT是IGBT系列功率电子器件，耐压超过4kV。

通过采用增强的注入结构以实现低导通电压，大容量功率电子器件实现了飞跃式发展。 IEGT作为MOS系列电力电子设备具有潜在的发展前景。

它具有低损耗，高速运行，高耐压和智能有源栅极驱动的特性，以及利用沟槽结构和多芯片并联和自流共享特性。它有潜力进一步扩大现有能力。

此外，可以通过模块包装提供许多衍生产品，预计将在大中型变频器应用中使用。

制造商:NJR 产品种类:参考电压 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 参考类型:Shunt Adjustable Precision References 输出电压:2.465 V to 18 V 初始准确度:1 % 串联VREF—输入电压—最大值:20 V 分流电流—最大值:100 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.1 mm 长度:2.9 mm 产品:Voltage References 宽度:1.6 mm 商标:NJR 拓扑结构:Shunt References 产品类型:Voltage References 3000 子类别:PMIC - Power Management ICs 商标名: 单位重量:6.300 mg

高级微控制器的最高工作频率达200MHz，闪存存储容量最大为2MB，并集成12位模数转换器，还集成了应用专用外围设备，如高效率电机控制引擎或丰富的连接接口。

它是用于巨型电力电子设备的新型功率半导体。

额定功率1500W、1U高度、19英寸机架式可编程DC电源PLS1500系列。这款最新的扩展产品是对600W PLS600系列的补充，适用于各种OEM、工业和实验室应用中的高功率设备。

典型应用包括组件、汽车和航空航天测试、医疗、半导体制造、广播和电信。

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