MCT是新型的MOS和双极复合器件。 MCT结合了MOSFET的高阻抗，低驱动功率和快速开关速度的特性，以及晶闸管的高电压和高电流特性，形成了一个高功率，高电压，快速而完整的控制装置。

本质上，MCT是MOS门控晶闸管。它可以在门上添加一个窄脉冲以将其打开或关闭，它由无数个并联的单位单元组成。

IGCT(IntergratedGateCommutatedThyristors)：IGCT是在晶闸管技术与IGBT和GTO技术相结合的基础上开发的一种新型器件。它适用于高压和大容量的变频系统。

全新的微控制器---M4K、M4M、M4G、M4N和M3H，且均属于TXZ+™族。

其中M4K、M4M、M4G和M4N组基于Arm® Cortex®-M4内核；M3H组基于Arm® Cortex®-M3内核。全组均可实现低功耗，适合多种类型的应用，如电机控制、互联物联网设备、先进传感功能等。

工程样片将从2020财年第四季度开始提供（2021年1月到3月），量产将从2021财年第二季度开始（2021年7月到9月）。

此外，还将同时提供相关文档、开发工具和示例软件。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）