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DDR总线端接稳压器电压5G射频同步集成解决方案

发布时间:2021/3/24 13:12:01 访问次数:988

8V19N850射频时钟同步器是业界首款5G射频同步集成解决方案,具备在单芯片进行射频同步的完整功能,同时符合ITU-T G.8273.2 T-BC/T-TSC Class C、ITU-T G.8262.1增强版SyncE和JESD204B/C等全套规范。

8V19N850还可根据IEEE 802.1cm前传同步要求从CPRI/eCPR复原时钟,非常适合用于新兴的5G O-RAN网络的射频单元(O-RU)。

造商:Diodes Incorporated 产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管    RoHS: 详细信息 产品类型:TVS Diodes 极性:Bidirectional 工作电压:5 V 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:X3-DFN0603-2 击穿电压:6 V 钳位电压:14 V 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 系列:D5V0L1B2 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Diodes Incorporated 工厂包装数量:10000 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 单位重量:2 g

数据列表RT9026;标准包装  2,500包装  标准卷带 零件状态有源类别集成电路(IC)产品族PMIC - 稳压器 - 特殊用途系列-其它名称1028-1059-2

RT9026GSP-ND

规格应用转换器,DDR 总线端接稳压器电压 - 输入3.15V ~ 5.5V输出数1电压 - 输出-工作温度-40°C ~ 85°C安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘供应商器件封装8-SOP-EP

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

8V19N850射频时钟同步器是业界首款5G射频同步集成解决方案,具备在单芯片进行射频同步的完整功能,同时符合ITU-T G.8273.2 T-BC/T-TSC Class C、ITU-T G.8262.1增强版SyncE和JESD204B/C等全套规范。

8V19N850还可根据IEEE 802.1cm前传同步要求从CPRI/eCPR复原时钟,非常适合用于新兴的5G O-RAN网络的射频单元(O-RU)。

造商:Diodes Incorporated 产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管    RoHS: 详细信息 产品类型:TVS Diodes 极性:Bidirectional 工作电压:5 V 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:X3-DFN0603-2 击穿电压:6 V 钳位电压:14 V 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 系列:D5V0L1B2 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Diodes Incorporated 工厂包装数量:10000 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 单位重量:2 g

数据列表RT9026;标准包装  2,500包装  标准卷带 零件状态有源类别集成电路(IC)产品族PMIC - 稳压器 - 特殊用途系列-其它名称1028-1059-2

RT9026GSP-ND

规格应用转换器,DDR 总线端接稳压器电压 - 输入3.15V ~ 5.5V输出数1电压 - 输出-工作温度-40°C ~ 85°C安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘供应商器件封装8-SOP-EP

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