11A 8/20μs的极高浪涌鲁棒性ESD保护和系统稳健性
发布时间:2021/3/31 23:44:07 访问次数:575
器件还具有高达11 A 8/20 μs的极高浪涌鲁棒性。
新推出的PUSB3BB2DF、PESD5V0C2BDF、PESD4V0Z2BCDF器件兼具高RF性能、极低的钳位和极高的浪涌能力,能够提供出色的ESD保护和系统稳健性。
设计HDMI2.1、USB、Thunderbolt和其他高速接口的电气工程师能够在实现设计小型化的同时,受益于出色的RF性能。
与机电继电器开关相比,簧片继电器还具有更长的寿命,更小的尺寸,更高的开关速度和更低的功耗。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-3x3-8
封装: Reel
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
宽度: 3.3 mm
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
子类别: MOSFETs
DLAPx86专为大型多层网络以及复杂数据集设计。DLAP系列为深度学习应用提供的灵活性是其核心价值所在。
基于不同应用的神经网络和AI推理速度需求,架构师可组合出最适化的CPU与 GPU处理器配置,提高产生每单位投资的最高效能。
高性能异构架构——采用Intel®处理器和NVIDIA Turing™ GPU架构,提供比其他技术更高的GPU加速运算以及优化的每瓦效能和每单位投资效能。
器件还具有高达11 A 8/20 μs的极高浪涌鲁棒性。
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与机电继电器开关相比,簧片继电器还具有更长的寿命,更小的尺寸,更高的开关速度和更低的功耗。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
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封装 / 箱体: TSDSON-3x3-8
封装: Reel
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
宽度: 3.3 mm
商标: Infineon Technologies
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子类别: MOSFETs
DLA86专为大型多层网络以及复杂数据集设计。DLAP系列为深度学习应用提供的灵活性是其核心价值所在。
基于不同应用的神经网络和AI推理速度需求,架构师可组合出最适化的CPU与 GPU处理器配置,提高产生每单位投资的最高效能。
高性能异构架构——采用Intel®处理器和NVIDIA Turing™ GPU架构,提供比其他技术更高的GPU加速运算以及优化的每瓦效能和每单位投资效能。