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11A 8/20μs的极高浪涌鲁棒性ESD保护和系统稳健性

发布时间:2021/3/31 23:44:07 访问次数:575

器件还具有高达11 A 8/20 μs的极高浪涌鲁棒性。

新推出的PUSB3BB2DF、PESD5V0C2BDF、PESD4V0Z2BCDF器件兼具高RF性能、极低的钳位和极高的浪涌能力,能够提供出色的ESD保护和系统稳健性。

设计HDMI2.1、USB、Thunderbolt和其他高速接口的电气工程师能够在实现设计小型化的同时,受益于出色的RF性能。

与机电继电器开关相比,簧片继电器还具有更长的寿命,更小的尺寸,更高的开关速度和更低的功耗。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-3x3-8

封装: Reel

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

产品类型: MOSFET

子类别: MOSFETs

DLAPx86专为大型多层网络以及复杂数据集设计。DLAP系列为深度学习应用提供的灵活性是其核心价值所在。

基于不同应用的神经网络和AI推理速度需求,架构师可组合出最适化的CPU与 GPU处理器配置,提高产生每单位投资的最高效能。

高性能异构架构——采用Intel®处理器和NVIDIA Turing™ GPU架构,提供比其他技术更高的GPU加速运算以及优化的每瓦效能和每单位投资效能。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


器件还具有高达11 A 8/20 μs的极高浪涌鲁棒性。

新推出的PUSB3BB2DF、PESD5V0C2BDF、PESD4V0Z2BCDF器件兼具高RF性能、极低的钳位和极高的浪涌能力,能够提供出色的ESD保护和系统稳健性。

设计HDMI2.1、USB、Thunderbolt和其他高速接口的电气工程师能够在实现设计小型化的同时,受益于出色的RF性能。

与机电继电器开关相比,簧片继电器还具有更长的寿命,更小的尺寸,更高的开关速度和更低的功耗。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-3x3-8

封装: Reel

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

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子类别: MOSFETs

DLA86专为大型多层网络以及复杂数据集设计。DLAP系列为深度学习应用提供的灵活性是其核心价值所在。

基于不同应用的神经网络和AI推理速度需求,架构师可组合出最适化的CPU与 GPU处理器配置,提高产生每单位投资的最高效能。

高性能异构架构——采用Intel®处理器和NVIDIA Turing™ GPU架构,提供比其他技术更高的GPU加速运算以及优化的每瓦效能和每单位投资效能。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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