积层陶瓷电容器的高速本体二极管技术
发布时间:2021/3/8 20:27:04 访问次数:152
650 V CoolMOS™ CFD7 产品系列即可满足上述需求。此器件适用于软切换应用的谐振拓扑，例如通信电源、服务器、太阳能和非车载的电动车充电。
新款 650 V器件扩展了声誉卓越的 CoolMOS CFD7 系列的电压范围，且为 CoolMOS CFD2 的后继产品。新款 650 V 产品可搭配 LLC 和零电压切换相移全桥拓扑，较前几代产品能提供多项优势。
本产品系列击穿电压提升 50 V，搭配整合高速本体二极管技术及更出色的切换效能，非常适合用于当代设计。极低的反向恢复电荷加上优异的热性能，也添加了更多优势。
制造商:Littelfuse 产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管 RoHS: 详细信息 产品类型:TVS Diodes 极性:Unidirectional 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOD-123FL-2 击穿电压:44.2 V 钳位电压:58.1 V 峰值脉冲功耗 (Pppm):200 W Vesd - 静电放电电压触点:- Vesd - 静电放电电压气隙:- Ipp - 峰值脉冲电流:3.4 A 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 系列:SMF 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Littelfuse 工厂包装数量:3000 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 单位重量:36 mg
1个车载ECU中的半导体和积层陶瓷电容器的平均搭载数量，预计到2025年将从2019年的186个※增加至230个※，增加近3成。
为了满足安装密度越来越高的车载应用的需求，市场对小型化的要求也越来越高，因此能够兼顾小型和高散热性的底部电极封装形式开始受到青睐。
另一方面，对于车载元器件，为确保可靠性，虽然会在安装元器件后实施AOI，但由于底部电极封装只在底部有电极，故无法确认焊接状态，进行车载标准的AOI有一定难度。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
650 V CoolMOS™ CFD7 产品系列即可满足上述需求。此器件适用于软切换应用的谐振拓扑，例如通信电源、服务器、太阳能和非车载的电动车充电。
新款 650 V器件扩展了声誉卓越的 CoolMOS CFD7 系列的电压范围，且为 CoolMOS CFD2 的后继产品。新款 650 V 产品可搭配 LLC 和零电压切换相移全桥拓扑，较前几代产品能提供多项优势。
本产品系列击穿电压提升 50 V，搭配整合高速本体二极管技术及更出色的切换效能，非常适合用于当代设计。极低的反向恢复电荷加上优异的热性能，也添加了更多优势。
制造商:Littelfuse 产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管 RoHS: 详细信息 产品类型:TVS Diodes 极性:Unidirectional 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOD-123FL-2 击穿电压:44.2 V 钳位电压:58.1 V 峰值脉冲功耗 (Pppm):200 W Vesd - 静电放电电压触点:- Vesd - 静电放电电压气隙:- Ipp - 峰值脉冲电流:3.4 A 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 系列:SMF 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Littelfuse 工厂包装数量:3000 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 单位重量:36 mg
1个车载ECU中的半导体和积层陶瓷电容器的平均搭载数量，预计到2025年将从2019年的186个※增加至230个※，增加近3成。
为了满足安装密度越来越高的车载应用的需求，市场对小型化的要求也越来越高，因此能够兼顾小型和高散热性的底部电极封装形式开始受到青睐。
另一方面，对于车载元器件，为确保可靠性，虽然会在安装元器件后实施AOI，但由于底部电极封装只在底部有电极，故无法确认焊接状态，进行车载标准的AOI有一定难度。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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