GaAs HBT功率放大器闭环输出功率测量的控制
发布时间:2021/1/19 18:24:07 访问次数:556
新型手机用RF功率放大器模块ADL5551,它集成了一流的RF检测和功率控制技术,使手机的性能得到改进,延长电池寿命,降低制造成本。
ADL5551采用先进的GaAs HBT功率放大器工艺技术,采用闭环输出功率测量的控制。这种创新的结构,和通常的开环电压和电流传感方案相比,能节省电池能量大于20%。
闭环输出功率控制在手机行业依然占主导地位。输出功率控制优于电压和电流控制,因为它能直接测量实现的输出功率而不是通过电流和电压的测量来间接控制。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:ARM微控制器 - MCU 系列: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LQFP-48 核心: 程序存储器大小:128 kB 数据总线宽度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大时钟频率:48 MHz 输入/输出端数量:37 I/O 数据 RAM 大小:16 kB 工作电源电压:3.3 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 程序存储器类型:Flash 商标:STMicroelectronics 数据 Ram 类型:SRAM 接口类型:I2C, SPI, USART, USB I/O 电压:3.3 V 湿度敏感性:Yes ADC通道数量:1 Channel 计时器/计数器数量:8 Timer 处理器系列:ARM Cortex M 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 1500 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.4 V 商标名: 单位重量:181.700 mg
为了加快硬件和软件的开发,Intel提供GSM/GPRS的无线开发工具(DVK),能实现全特性的手机和加快产品走向市场的软件/硬件开发环境。
开发平台/参考硬件设计工具包括有:Intel PXA800F GSM/GPRS手机处理器,第三方混合信号模拟基带IC,第三方直接变换无线电收发器,满足Intel指标的第三方功率管理IC以及键区,LCD(16位彩色显示),多种外设和调试接口以及移动手机参考软件,基于微软视窗的开发,校准和测试,文件及图表。
内核工作电压1.2V ± 10%,I/O的工作电压从1.8V ± 10% 到3V ± 10%,待机时间250-300小时,工作温度-25度 到+85度,封装为241针TF BGA封装,12x12x1.2mm。
新型手机用RF功率放大器模块ADL5551,它集成了一流的RF检测和功率控制技术,使手机的性能得到改进,延长电池寿命,降低制造成本。
ADL5551采用先进的GaAs HBT功率放大器工艺技术,采用闭环输出功率测量的控制。这种创新的结构,和通常的开环电压和电流传感方案相比,能节省电池能量大于20%。
闭环输出功率控制在手机行业依然占主导地位。输出功率控制优于电压和电流控制,因为它能直接测量实现的输出功率而不是通过电流和电压的测量来间接控制。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:ARM微控制器 - MCU 系列: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LQFP-48 核心: 程序存储器大小:128 kB 数据总线宽度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大时钟频率:48 MHz 输入/输出端数量:37 I/O 数据 RAM 大小:16 kB 工作电源电压:3.3 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 程序存储器类型:Flash 商标:STMicroelectronics 数据 Ram 类型:SRAM 接口类型:I2C, SPI, USART, USB I/O 电压:3.3 V 湿度敏感性:Yes ADC通道数量:1 Channel 计时器/计数器数量:8 Timer 处理器系列:ARM Cortex M 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 1500 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.4 V 商标名: 单位重量:181.700 mg
为了加快硬件和软件的开发,Intel提供GSM/GPRS的无线开发工具(DVK),能实现全特性的手机和加快产品走向市场的软件/硬件开发环境。
开发平台/参考硬件设计工具包括有:Intel A800F GSM/GPRS手机处理器,第三方混合信号模拟基带IC,第三方直接变换无线电收发器,满足Intel指标的第三方功率管理IC以及键区,LCD(16位彩色显示),多种外设和调试接口以及移动手机参考软件,基于微软视窗的开发,校准和测试,文件及图表。
内核工作电压1.2V ± 10%,I/O的工作电压从1.8V ± 10% 到3V ± 10%,待机时间250-300小时,工作温度-25度 到+85度,封装为241针TF BGA封装,12x12x1.2mm。