小型体积为1.07mm,占位面积为10.56 mm2。Si7902EDN在4.5V栅驱动时，其导通电阻为28 m欧姆，ESD保护为3000V。

共漏器件在充电时能进行保护，防止过流和过压的出现，当电池充满电时防止向交流源放电。

低导通电阻有助于延长电池寿命，增加手提设备如手机，PDA和寻呼机等的通话和待机时间.

所有这五钟功率MOSFET工作在-55度to150度的温度范围。

宽电源电压范围：3 V至10 V

宽输入共模电压范围：

−VS至 +VS − 1.3 V

轨到轨输出

采用额定双电源工作模式

全功率模式

低谐波失真

快速建立时间

18位：100 ns

16位：50 ns

应用：

低功耗Σ-Δ型、

PulSAR®和SAR ADC驱动器

单端转差分转换器

差分缓冲器

医疗成像

过程控制

便携式电子设备

产品描述：

ADA4945-1

是一款低噪声、低失真、

全差分放大器，

具有两种可选功率模式。

该器件采用3 V至10 V

宽电源电压范围工作。

低直流失调、直流失调漂移

适合各种数据采集与信号处理应用。

采用4 mA静态电流（全功率模式）

工作高分辨率、

高性能逐次逼近型寄存器(SAR)

Σ-Δ型模数转换器(ADC)。

4个电阻组成的简单外部反馈网络

便可实现差分增益配置，

反馈网络决定放大器的闭环增益。

专有硅锗(SiGe)互补双极性工艺制造，

使该器件实现极低的失真水平，

输入电压噪声仅为1.8 nV/√Hz（全功率模式）。

RoHS标准

3 mm × 3 mm、

16引脚

LFCSP封装。

−40°C至+125°C。

64M位闪存器件，用在手提设备和手机市场，支持几种不同的吞吐量，消耗比其它产品更低的功率。

Am29BDS640G是可以和8M位或16M位SRAM封在一起的多片式封装(MCP)，能使AMD客户设计出更小更轻的终端产品。该器件还有高性能突发模式接口和AMD同时读/写结构以及FlexBank结构。

AMD的闪存器件支持用在高档手机和其它手提设备的54MHz的微处理器，随机存取时间为70ns,同步存取时间为13.5ns。