Vishay高能效E系列超结技术导通和开关损耗降低
发布时间:2021/1/16 17:07:26 访问次数:469
Multicomp Pro系列包含6万多件产品,广泛适合各水平工程师。与其他名牌产品相比,可平均节约成本高达30%。
e络盟提供一系列定制服务 ,包括定制线缆和组件等,可为用户快速提供过时的组件或不易找到的零件。定制机箱则是最新推出的一项定制服务。
客户现可通过 Farnell (欧洲、中东和非洲地区)、 Newark (北美地区)及 e络盟 (亚太区)配置并购买 Multicomp Pro定制机箱。
制造商:Analog Devices Inc. 产品种类:模数转换器 - ADC 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SMD/SMT 分辨率:16 bit 通道数量:8 Channel 接口类型:3-Wire, QSPI, SPI 采样比:250 kS/s 输入类型:Differential/Pseudo-Differential/Single-Ended 结构:SAR SNR – 信噪比:93.5 dB 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:0.83 mm 输入电压:2.5 V/4.096 V, +/- 1.25 V/+/- 2.048 V 长度:4 mm 转换器数量:1 Converter 功耗:15.5 mW 类型:S/H ADC 宽度:4 mm 商标:Analog Devices 参考类型:External, Internal DNL - 微分非线性:- 1 LSB/1.5 LSB 增益误差:+/- 30 LSB INL - 积分非线性:+/- 1.5 LSB 湿度敏感性:Yes ADC 输入端数量:8 Input, 8 Input/4 Input, 4 Input/2 Input 工作电源电压:5 V Pd-功率耗散:19.2 mW 产品类型:ADCs - Analog to Digital Converters 采样和保持:Yes 工厂包装数量1500 子类别:Data Converter ICs 单位重量:37 mg
Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换,涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。
SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超结技术,10 V条件下典型导通电阻仅为0.061 Ω,超低栅极电荷降至50 nC。器件的FOM为3.1 Ω*nC,比同类最接近的MOSFET低30 %。这些参数表明导通和开关损耗降低,从而节省能源。
SiHH070N60EF有效输出电容Co(er)和Co(tr)分别仅为90 pf和560 pF,可改善零电压开关(ZVS)拓扑结构开关性能,如LLC谐振转换器。器件的Co(tr) 比同类紧随其后的MOSFET低32 %。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
Multicomp Pro系列包含6万多件产品,广泛适合各水平工程师。与其他名牌产品相比,可平均节约成本高达30%。
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制造商:Analog Devices Inc. 产品种类:模数转换器 - ADC 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SMD/SMT 分辨率:16 bit 通道数量:8 Channel 接口类型:3-Wire, QSPI, SPI 采样比:250 kS/s 输入类型:Differential/Pseudo-Differential/Single-Ended 结构:SAR SNR – 信噪比:93.5 dB 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:0.83 mm 输入电压:2.5 V/4.096 V, +/- 1.25 V/+/- 2.048 V 长度:4 mm 转换器数量:1 Converter 功耗:15.5 mW 类型:S/H ADC 宽度:4 mm 商标:Analog Devices 参考类型:External, Internal DNL - 微分非线性:- 1 LSB/1.5 LSB 增益误差:+/- 30 LSB INL - 积分非线性:+/- 1.5 LSB 湿度敏感性:Yes ADC 输入端数量:8 Input, 8 Input/4 Input, 4 Input/2 Input 工作电源电压:5 V Pd-功率耗散:19.2 mW 产品类型:ADCs - Analog to Digital Converters 采样和保持:Yes 工厂包装数量1500 子类别:Data Converter ICs 单位重量:37 mg
Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换,涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。
SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超结技术,10 V条件下典型导通电阻仅为0.061 Ω,超低栅极电荷降至50 nC。器件的FOM为3.1 Ω*nC,比同类最接近的MOSFET低30 %。这些参数表明导通和开关损耗降低,从而节省能源。
SiHH070N60EF有效输出电容Co(er)和Co(tr)分别仅为90 pf和560 pF,可改善零电压开关(ZVS)拓扑结构开关性能,如LLC谐振转换器。器件的Co(tr) 比同类紧随其后的MOSFET低32 %。
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