RN5220两芯片，全CMOS双频带WLAN兵 802.11a/b/g芯片组，并宣布RN5220 802.11a芯片组在全能力生产。两种芯片采用零中频(ZIF)结构，业界第一和单芯片1.8VCMOS无线电芯片，降低元件清单(BOM)的成本和功耗。

芯片也具有Resonext公司专有的AccChannel均衡技术，把信噪比(SNR)提高4dB，和标准的OFDM调制解调器相比，数据速率提高了32%。

RN5220是零中频(ZIF)结构的单片双频带1.8V CMOS无线电芯片，能降低成本和功耗。

制造商:Infineon 产品种类:IGBT 晶体管 技术:Si 封装 / 箱体:TO-247-3 安装风格:Through Hole 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.65 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:74 A Pd-功率耗散:250 W 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 175 C 系列: 封装:Tube 高度:20.7 mm 长度:15.87 mm 宽度:5.31 mm 商标:Infineon Technologies 栅极—射极漏泄电流:100 nA 产品类型:IGBT Transistors 240 子类别:IGBTs 商标名: 零件号别名:IKW40N65H5 SP001001730 单位重量:38 g

ADE7754的主要特性，在动态范围1000：1内，有极好的精确度，非线性误差小于0.1%，工作电压为单电源5V。模拟前端包括有片上相位补偿，经过优化以便直接和电流变压器(CT)接口。ADE7754和三线和四线供电系统兼容，能用在三相商用和工业用电表或分表，三相马或发电机以及工业控制。

ADE7754的其它特性还有:无负载阈值，功率监视电路，片上温度传感器，负功率流指示，峰值电压和电流测量，线周期测量和高频校准输出。ADE7754的封装为24引脚的SOIC封装。

用大的电压分压网络和更换电阻来校准电表。