新型DC-DC转换器还能将电源或电池的满负载，即+5.0V输入分压或倍压，在分压模式下提供+2.25V输出，而在倍压模式下提供+9.5V输出。

FAN5660的推出全面配合我们的电源管理战略，为客户提供高效功率转换解决方案。FAN5660在满负载下具有极高的转换效率，可为便携及手持设备的电池延长寿命。

振荡器可在高频或低频下工作。当选择较低的5kHz工作频率时，静态电流会降至很低，而在较高的50KHz工作频率下可使用更小的电容器。

制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id

通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:0.94 mm 长度:2.9 mm 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:1 P-Channel 类型:MOSFET 宽度:1.3 mm 商标:ON Semiconductor 下降时间:3 ns

产品类型:MOSFET 上升时间:9 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:9 ns 典型接通延迟时间:7 ns 单位重量:8 mg

NLSF595与现有串行并联接口(SPI)行业标准接口，仅使用三根引线。

在25° C(典型值)下，NLSF595的静态供电电流低于1.0微安，几乎为零，是以电池为能源的设备的理想选择。

安森美半导体的NLSF595提供创新的业界标准四方扁平无引线(QFN)封装，作为器件的封装选择之一。这种16引线的QFN封装面积为3 X 3 mm，且有很大的中心区域用于焊接。

FAN5660充电泵具有内置振荡器电路，可以灵活选择适当的工作频率。